高纯度碳化硅粉末装入等静压石墨坩埚，顶部放置籽晶，在2000°C以上高温，加热升华。固态碳化硅粉末(SiC)升华成Si、Si₂C、SiC₂等气相物质，在惰性气体环境下与籽晶相遇。在籽晶表面结晶生长出单晶。*后通过晶体生长炉利用温度梯度，控制晶体生长的热量传递。缓慢降温，得到圆柱形碳化硅晶锭。