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碳化硅衬底1

碳化硅衬底1

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上海思莱克工业科技有限公司

上海

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品牌:

思莱克

型号:

碳化硅衬底1

关注度:

789

产品介绍

碳化硅衬底清洗检测

经过研磨和抛光后的碳化硅衬底,表面虽然已经达到了很高的平整度,但仍然可能残留着一些有机污染物、金属污染物以及微小的颗粒。为了确保衬底的洁净,我们需要进行严格的清洗,确保外延或器件制造的表面质量,清洗后通过形貌、晶体缺陷、电学性能等多维度检测验证碳化硅衬底质量。

碳化硅衬底的技术参数

8英寸N型碳化硅衬底 - 产品规格
属性规格单位
P
RD
直径200±0.5mm
厚度500/350(- 25,25)μm
表面偏离晶向4°toward [11-20]±0.5°
缺口方向Perpendicular to the [11-20]±5°
边缘排除3
mm
翘曲度≤40≤100μm
弯曲度
±25±60

±80

μm
总厚度偏差≤10≤15um
位错密度-EPD≤7000≤12000无要求/cm2
位错密度-TSD≤500≤1000/cm2
位错密度-BPD≤1300≤2000/cm2
微管密度≤1≤5/cm2
高强度光照多型性4H 100%4H 95%% area
电阻率0.015-0.028Ω .cm
表面粗糙度(Si)

<0.2

nm
表面粗糙度(C)<2nm
高强度光刻板

≤5ea, Edge 3mm inside,

a single size <0.3mm

nm

残留金属污染

(Al,Cr, Fe, Ni, Cu, K, Ti &Mn)

<5E10<1E11atoms/cm2
封装多晶圆盒/单晶圆盒



6英寸N型碳化硅衬底 - 产品规格
属性
规格
单位
ZPR
Dmm
直径150±0.25μm
厚度350(-25,25)
表面偏离晶向4.0°towards [11-20]±0.5°
缺口方向Perpendicular to the [11-20]±5°mm
主平面长度47.5 ± 1.5mm
边缘排除3
μm
翘曲度≤25≤35≤45≤60μm
弯曲度±10±15±25±40μm
总厚度偏差≤5≤8≤10≤15/cm2
位错密度-EPD≤4000≤6000≤8000≤ 12000无要求/cm2
位错密度-TSD≤200≤300≤500≤800/cm2
位错密度-BPD≤800≤1000≤1500≤2000/cm2
微管密度≤0.2≤0.2≤0.5≤0.1% area

高强度光照多型性

4H 100%4H 98%4H 97%% area

高强度光检测六边形


≤1%≤3%Ω .cm
电阻率0.015-0.0250.015-0.0280.010-0.030nm
表面粗糙度(Si)
<0.2nm
表面粗糙度(Si)<1<2
高强度光检测的裂缝

高强度光检测的硅表面划痕


≤3ea, each ≤10mmmm

累计划痕长度

(By 8520)

≤75≤100≤150无要求

边缘缺口

边缘轮廓SEMI M55-0817
高强度光检测的污渍

残留金属污染

(Al,Cr, Fe, Ni, Cu, K, Ti &Mn)

< 5E10<1E11
封装多晶圆盒/单晶圆盒



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碳化硅衬底1

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