Intense**的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙，可在同一腔内产生有源区和无源区，并在腔面形成一种无源吸收反射镜(NAMs)，可有效地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变(COMD)，性能更可靠稳定。产品包括：高功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列，可独立寻址的半导体激光器阵列。

主要特点

·波长8xx，9xxnm ，功率<200mW

·减少复杂性、节约成本、高可靠性

·量子阱混合技术、高质量光学

·封装紧凑、可作为直接光源

·应用包括数字式彩打、光动力疗法、通信、材料加工