粉体行业在线展览
GMSD2000-297
5-10万元
SGN/思峻
GMSD2000-297
251
1-100μm
研磨分散双腔体一体化作业,一次性打散二氧化硅软硬团聚,全线机型剪切参数统一,隔膜涂覆浆料小样配方可无缝放大量产,有效防止微孔堵塞与浆料沉降
一、产品概述
GMSD2000 管线式一体化研磨分散设备,专为锂电隔膜纳米二氧化硅陶瓷涂覆浆料连续化生产设计。设备集成锥面研磨腔体与多级高剪切分散单元,可一次性完成气相二氧化硅粉体解聚、湿法研磨、液相润湿、粘结剂均质混合,有效破除二氧化硅粉体硬团聚,严控浆料粒径分布,杜绝涂层颗粒白点、隔膜微孔堵塞、浆料静置絮凝沉降等问题。整机密闭管线式连续进料,无粉尘污染,金属杂质可控,完全满足锂电池洁净制浆标准,是二氧化硅隔膜涂覆液量产的核心前处理设备。
二、工作原理
物料连续进入主机腔体,首先进入精密研磨工位,依靠定转子高速挤压、摩擦、撞击,打碎二氧化硅粉体硬团聚结块;随后物料自动流入多级剪切腔体,在微米级狭小间隙内产生高强度湍流,剥离颗粒间软团聚,让原生纳米颗粒均匀分散在水溶液中,并与 PVDF 粘结剂充分融合。物料一次过机即可完成破碎、研磨、分散三道工序,无需多次循环加工,浆料粒径窄、稳定性强,保证隔膜涂层轻薄均匀,不堵塞透气微孔。整机可配套夹套降温,控制剪切温升,避免浆料凝胶化。

三、核心优势
采用前置研磨 + 后置高剪切双级串联结构,先破除二氧化硅硬团聚再精细化分散,一次过机即可消除浆料颗粒杂质;全系列机型统一转子线速度与工作间隙,实验室小样工艺能够零偏差线性放大至连续生产线,彻底解决小试分散稳定、量产反复团聚、涂层缺陷多的行业痛点。腔体镜面抛光无死角,可实现 CIP 在位清洗,换料无交叉污染;密闭结构严控重金属析出,机械密封带冷却系统,支持全天候连续管道化制浆,适配高固含二氧化硅悬浮液长期稳定生产。
四、主要技术参数
型号 | 标准流量(L/h) | 转速(rpm) | 线速度(m/s) | 马达功率(KW) | 进出口尺寸 |
GMSD2000/4 | 300 | 14000 | 41 | 4 | DN25/DN15 |
GMSD2000/5 | 1500 | 10500 | 41 | 11 | DN50/DN32 |
GMSD2000/10 | 4000 | 7200 | 41 | 22 | DN80/DN65 |
GMSD2000/20 | 10000 | 4900 | 41 | 45 | DN100/DN80 |
GMSD2000/30 | 20000 | 2850 | 41 | 90 | DN150/DN125 |
GMSD2000/50 | 60000 | 1100 | 41 | 160 | DN200/DN150 |
GMSD2000-67
GMSD2000-410
GMSD2000-54
GMSD2000-142
GMSD2000-325
GMSD2000-326
GMSD2000-258
GMSD2000-243
GMSD2000-257
GMSD2000-259
GMSD2000-260
GMSD2000-256