技术特点▼
l 能够测量小至1mm的晶体到或更大的样品
l 各种样品架及输送夹具，用于线锯、抛光等
l 侧晶方向标记选项
l 无水冷却
l 精度可达0.01°(视晶体质量而定)
l 确定单晶的完全晶格取向
l 使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量
l 气冷式X射线管，无需水冷
l 适合于研究和生产质量控制
l 手动操作(没有自动化选项)
晶体的方向是由反射位置决定的
? 立方/任意未知方向：Si， Ge， GaAs， GaP， InP
? 立方/特殊取向：Ag， Au， Ni， Pt， GaSb， InAs， InSb， AlSb， ZnTe， CdTe， SiC3C， PbS， PbTe， SnTe， MgO， LiF， MgAl2O4， SrTiO3， LaTiO3
? 正方：MgF2， TiO2， SrLaAlO4
? 六方/三角：SiC 2H， 4H， 6H， 15R， GaN， ZnO， LiNbO3， SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4， La3Ga5SiO14
? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3
? 可根据客户的要求进一步选料
适合多种材料
SDCOM的应用▼
平面方向的标记和测量
在晶圆片的注入和光刻过程中，需要平面或凹槽作为定位标记。切割过程中，晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平面或缺口的位置至关重要。
为了确定平面或缺口的位置，就需要测量平面内的部件。由于Omega扫描法可以在一次测量中确定完整的晶体方位，基于此，便可以直接识别在平面方向或检查方向的单位或缺口。
DDCOM通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。在必须定义平面方向的情况下，这可以大大简化将标记应用到特定平面方向的过程。
