光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR
光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜，如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时，深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然，如果必须确定光学常数，则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置，如波长分辨率，角度范围等，将根据所需的应用进行考虑。
光谱椭偏仪特征：
•基于Window软件，易于操作；
•先进的光学设计，实现zui佳系统性能；
•高功率DUV-VIS-NIR光源，适用于宽带应用；
•基于阵列的探测器系统，确保快速测量；
•用户可以根据需要定义任意数量的图层；
•能够用于实时或在线厚度，折射率监测；
•系统配有全面的光学常数数据库；
•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表，色散或有效介质近似（EMA）；
•三种不同的用户级别控制：工程师模式，系统服务模式和简易用户模式；
•灵活的工程模式，适用于各种配方设置和光学模型测试；
•强大的一键式按钮解决方案，用于快速和常规测量；
•可按照用户偏好配置测量参数，操作简便；
•系统全自动校准和初始化；
•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口，无需外部光学元件；
•精确的高度和倾斜程度调整；
•适用于许多不同类型的不同厚度的基材；
•各种选项，附件可用于特殊配置，如绘图阶段，波长扩展，焦点等；
•2D和3D输出图形以及用户数据管理界面；
光谱椭偏仪应用：
•半导体制造（PR，氧化物，氮化物......）
•液晶显示器（ITO，PR，Cell gap ......）
•法医学，生物学材料
•油墨，矿物学，颜料，调色剂
•制药，医疗器械
•光学涂层，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......
•半导体化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•无定形，纳米和硅晶圆
•太阳能电池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....
光谱椭偏仪技术参数：
型号 | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探测器类型 | CCD或CMOS阵列 | CCD或CMOS阵列 | CCD或CMOS和InGaAs阵列 | CCD或CMOS和InGaAs阵列 |
波长范围（nm） | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波长点 | 测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义（数据点仅受分辨率限制） | |||
波长分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
数据采集时间 | 100毫秒到10秒，用户自定义 | |||
入射角范围 | 20至90度 | |||
入射角分辨率 | 带手动测角仪的5度预设步骤，用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率，配有自动测角仪，适用于SExxx-BA配置 | |||
偏光光学 | 旋转偏振器，分析器和/或补偿器的组合 | |||
光束尺寸 | 准直光束，光束尺寸可在1至5mm范围内调节光圈; 可选的聚焦光束模式（可拆卸）可用于减小光斑尺寸 | |||
光源 | （D2 + TH）/氙 | TH | TH | （D2 + TH）/氙 |
其他型号：
红外光谱椭偏仪TFProbe IRSE
光谱椭偏仪显微分光光度计 SE-MSP
光谱椭偏仪 SE-SOLAR太阳能光伏
光谱椭偏仪带自动监测 SE200BM，SE300BM和SE500BM
显微分光光度计DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500
