IRD-GE-10 Ge超大光敏面锗光电二极管（10mm）－近红外波长
产品描述
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
产品特点:
•小光敏面大光敏面可选 (100μm to 25mm)
• 800nm to 1800nm 光谱响应
•高线性> 10 dBm
•可以定制透镜组合(Biconvex， Planoconvex， or Ball)
•封装方式可选(TO-46， TO-18， TO-5， TO-8， TO-9 or BNC)
应用领域
激光功率计
•LED/LD老化诊断
•光谱学
•LED/LD特性
•眼睛安全激光检测传感器
技术参数、
Specifications | |
探测材料 | Ge |
响应波长 | 800 - 1800 nm |
峰值波长 | 1550 nm (Typ.) |
响应度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直径 | 78.5 mm2 (?10mm) |
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms， 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP， Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗电流 (5 V) | 60 μA (Max.) |
电容(10 V)电容(0 V) | 1800 pF (Max.)16000 pF (Max.) |
分流电阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封装形式 | TO-8 |
Max Ratings | |
**击穿打压 | 10 V |
操作温度 | -55 to 60 °C |
存储温度 | -55 to 60 °C |
注1：典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明
2.NEP指定在光伏模式下
光谱响应曲线：
推荐电路：
订购型号：
型号： IRD-GE-10 单价：3950元/片 库存数量：5只
描述：
光谱响应范围:800-1800nm
直径:10mm;
响应度@1550nm:0.85 A/W
2Pin脚
