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GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
产品型号:
供应商报价:面议
产地:其他国家
发布时间:2023-08-10
所属分类:首页 > 分析仪器设备频道 > 光学仪器及设备专场 > GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
  • 产品简介
  • 应用行业
  • 典型用户

GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。

应用领域

?太赫兹时域系统

?太赫兹源晶体

?中远红外气体探测

?CO2激光的SHG

?THZ实验光源

?太赫兹成像

产品特点

? 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域

? 抗损伤阈值高

? 非线性系数大

? CO2激光的SHG

? 多种尺寸可选

? 客户导向的解决方案

? 接受客户定制服务

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