仪器简介：
全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；
电子束蒸发系统：
1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System
2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System
5.离子电镀系统Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System
技术参数：
1.电子束源&电源
单个或者可自由切换换电子束源：
--蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4， 6)
--坩埚容量：7 ~ 40 cc (**可达200 cc)
--标准：25 cc (4 or 6 Pocket)， 40 cc (4 Pocket)
--**：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积
--偏转角度：180o， 270o
--输出功率：6， 10， 15， 20 kW
--支持两个或者三个电子束源在一个系统上
--可连续或者同时沉积两种或三种材料
--高速率沉积
2.薄膜沉积控制：
IC-5 ( or XTC， XTM) 和计算机控制
--沉积过程参数可控
--石英晶体振荡传感器
--光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm
--薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制
--薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制
--支持大面积沉积
--支持在线电子束蒸发沉积
--基底尺寸：20~100英寸
--薄膜均匀性 <±1.0 to 5.0 %
3.真空腔体：
--圆柱形腔体
--直径：φ500 ~ 1，500 mm
--高度：800 ~ 1500 mm
--方形腔体
--根据客户的需求定制
4.真空泵和测量装置：
--低真空：干泵和convectron真空规
--高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规
--超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规
5.控制系统PLC和 触摸屏计算机：
--硬件: PLC， 触摸屏计算机
--包括模拟和数字输入/输出卡
--显示器: LCD
--自动和手动程序控制
--程序控制：加载，编辑和保存
--程序激活控制：
--泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等
--膜厚度检测和控制多层薄膜沉积
--系统状态，数据加载等
--问题解答和联动状态
扩展功能：
1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制
2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积
3、射频电源：基底预先处理
4、温度控制器：基底加热
5、热蒸发器：1 or 2 boat
6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping
7、冷却器：系统冷却
