HTGB高温栅偏测试系统是一款动态ＨＴＧＢ测试系统。其优点是软件控制的测试过程、大量的测试设备和调整试验参数的灵活性。该系统用高压变化来刺激被测器件的栅极在许多应用中，特别是在新技术方面。用高压变化对器件参数的影响在静态ＨＴＧＢ测试中是看不到的。对于像碳化硅（ＳｉＣ）和氮化镓（ＧａＮ）这样的新型宽禁带器件来说，这种动态HTGB技术尤其重要。
这套测试系统提供了栅阈值电压的现场（就地）测量。通过中断刺激，切换到测量电路，然后继续刺激全自动。每个ＤＵＴ停止刺激和测量之间的时间是恒定的，以避免不同结果的影响。没有这些预防措施，可重复性和可比性设备会有限制。
全自动测量取代了通常需要的手动测量读数节省时间和成本，同时提高观察视野。测量的阈值电压分为Ｖｔｈ（向上）和Ｖｔｈ（向下），每一个都有一个可配置预处理阶段。
测试通道：
工作台：１０，２０，４０个
机架（４２ Ｕ）： ４０、８０、１２０、１６０、２００、２４０ ＤＵＴ：
全自动原位Ｖｔｈ测量：
测量时间间隔
可定制的门刺激曲线（预处理）
将测量数据记录到ＴＤＭＳ文件中
测试参数：
总测试时间（０－１５００ｈ）
外加漏极电压（０Ｖ－２０００Ｖ）
冷热板温度：２０℃－２００℃
门刺激Ｖ＋ （０Ｖ－３０Ｖ）、Ｖ－ （－１５Ｖ－０Ｖ）
门频率（１００Ｈｚ － ２００ｋＨｚ）
Ｖｔｈ测量间隔（１０秒）
Ｖ测量电压曲线
工作原理：
所设置的测试系统对高du/dt的栅极进行刺激，以测试这些效应的影响。
频率比应用中更快，以加速测试。
采用多次原位测量，显示了趋势和漂移。
应用背景
•宽频带器件(SiC/GaN)在暴露于高du/dt时显示出新的效果。
•这些效果会影响DUT的关键特性，从而影响应用
•常规测试(H(3)TRB/HTGB)不存在这些影响
•全球标准化组织都在致力于发布动态测试标准
•作为德国汽车半导体工作组(ECPE AQG 324)的一部分参与该过程。
动态高温栅偏置功率半导体可靠性测试系统采用模块化设计，使其可扩展性从40 个ＤＵＴ到240个ＤＵＴ的单个机架。这样就可以在较小的占用空间上进行有效的测试。
ＤＵＴ被安排在抽屉里每40 个ＤＵＴ，在应用或工程环境中使用时，可根据要求提供桌面变体。这个桌面是一种适合工程实验室使用的小架子。它包含一个抽屉和额外的改变，允许更多的仪器或刺激来获得更多的观察视野，非常适合SiC功率器件可靠性测试。
