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常温霍尔效应仪EMT2400
产品型号:
供应商报价:面议
产地:台湾
发布时间:2023-08-15
所属分类:首页 > 分析仪器设备频道 > 其他专场 > 常温霍尔效应仪EMT2400
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EMT2400常温、77k霍尔效应测试仪

测量半导体薄膜Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

样品尺寸:

Up to 15 mm x 15 mm

Optional for larger size

标准样品

测试温度:

室温、77k

载流子浓度(cm-3):

迁移率():

0.5 ~ 108 cm2/Volt.sec

电阻率 (?.):

10-3 108

电流源:

±100pA to ±1A

电流分辨率

1.0 μA@50pA; 100.0μA@1nA

**电压

±210V@±105mA, ±21V@±1.05A (20W)

霍尔电压范围:

±5μV to ±200V

输入电压范围:

±5μV to ±200V

磁极间隙:

20mm

均匀度:

< ± 1%

稳定性:

0.02%(one year)

磁场强度:

0.75T

升级变温霍尔系统

4K~1000K

升级电磁场

1T, 1.5T, 2T

保修

一年质保

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