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氮化镓GaN
产品型号:氮化镓GaN
供应商报价:面议
产地:江苏
发布时间:2024-12-02
所属分类:首页 > 无机材料频道 > 其它无机材料专场 > 氮化镓GaN
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氮化镓GaN

提供氮化镓晶片定制加工服务

GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元Ⅲ/V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料,具有纤锌矿晶体结构。其3.4eV的宽带隙为光电,高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板,而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性,因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多,因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外,GaN为THz器件提供了有前景的特性。

  • 尺寸:2-6寸

  • 晶向:C平面(0001)朝向M轴的偏离角0.35°±0.15°

  • 表面:抛光

  • 厚度(um):350±25


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