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CVD气相沉积法二硫化钼薄膜
产品型号:CVDGEPET 7440-44-0
供应商报价:面议
产地:苏州
发布时间:2025-07-13
所属分类:首页 > 纳米材料频道 > 纳米材料专场 > CVD气相沉积法二硫化钼薄膜
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分类:

单层连续薄膜二硫化钼薄膜蓝宝石基底,

单层连续薄膜二硫化钼薄膜SIO2/SI基底,

单层连续薄膜二硫化钼薄膜石英基底

单层三角晶体二硫化钼薄膜蓝宝石基底

单层三角晶体二硫化钼薄膜SIO2/SI基底

单层三角晶体二硫化钼薄膜石英基底



基本性质:
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。
 
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
 
产品简介:

碳丰科技的MoS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层MoS2 连续薄膜。
4) 基底:MoS2可选基底较多,其中*常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。

包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
单层MoS2孤立晶粒  


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