第三代半导体晶圆减薄砂轮采用了专研高性能陶瓷结合剂及业内先进的“Dmix+” 制程工艺。产品主要应用于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料衬底片和晶圆片的磨削减薄。产品性能稳定，同时注重加工效率与质量的平衡，所加工的晶片衬底及晶圆表面质量好、产品性价比高，适配国内、外主流减薄设备。可根据不同加工材料特性、尺寸以及使用的设备等条件，适配相应的砂轮及磨削工艺，满足不同半导体材料以及加工磨床多元化发展的需要。
产品介绍：
MGS8碳化硅晶圆衬底研削磨轮
提高生产效率和研削质量，降低耗材使用成本
| 砂轮配方 | 晶片编号 | 减薄方式 | 压力(电流) | 砂轮磨耗 |
| 86H2 | T02706245P16 | 双面粗减 | C:14.3 | C:-0.0097 |
| SI:15.5 | SI:0.0022 | |||
| T18611243J15 | 双面粗+细 | C:14.3 | C:0.0040 | |
| SI:15.5 | SI:0.0073 |
UPNTECH-86H2粗磨减薄砂轮 | |
| 稳定电流 | 稳定电流 |
磨耗比(wheel/sic) | 15% |
砂轮寿命 | 700件 |
产品特点：
基体优化设计减少整体振动，增强冷却液流动，可根据客户不同设备需求定制不同规格砂轮。
采用独特的高强度微晶增韧陶瓷结合剂配方及多孔显微组织调控技术实现高研削性能。
超细的金刚石磨粒，超高自锐性，高磨削效率，可获得低损伤和低表面粗糙度的晶圆。
核心技术1高强度微晶增韧陶瓷结合剂
核心技术2 多孔砂轮显傥组织调控技术
