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硒化锗单晶GeSe
产品型号:10660
供应商报价:9000
产地:荷兰
发布时间:2016-01-17
所属分类:首页 > 纳米材料频道 > 纳米材料专场 > 硒化锗单晶GeSe
  • 产品简介
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  • 典型用户

 样品名称 进口硒化锗GeSe晶体 性质 半导体带隙 待实验确定 参数 纯度:>99.995%尺寸::~8mm,其他尺寸可定制颜色:黑色 应用 半导体电子器件,传感器-探测器,非线性光学,STM-AFM实验,光学器件等研究 其他信息 详情请发邮件至:mknano@*******, sale@muk*********。      单晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我们实验室**技术生长。我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供**晶格的单晶。每块单晶都是有很好的结晶性,分子层间距有较弱的范德华作用力,层状结构以保证易于剥离。单层GeSe具有具有很好的光学性质,机械性质和光学性质。      我们实验室有着进5年的单晶生长经验,每块晶体都有很好的可重复性。单晶 GeSe块体的尺寸可以达到10mm级别,纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。单 晶 GeSe 没有其他的杂相,没有其他的非晶相。我们的GeSe单晶具有很大的晶畴,可以得到很大的单层。   另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。

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