粉体行业在线展览
砷化锗晶体-GeAs
面议
上海研倍
砷化锗晶体-GeAs
328
产品技术参数:
产品名称 | 砷化锗晶体-GeAs |
货号 | RDB-DJ-153 |
性质 | 半导体 |
保存条件 | 真空密封 |
参数 | 尺寸:>25mm2 >35mm2 >50mm2 |
应用 | 半导体电子器件,光学器件等研究 |
产品规格:
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
EDS:
样品截面SEM:
X射线衍射: 元素分析:
RDB-FSY-SiO2
RDB-FSY-HfO2
RDB-RJ-Al
RDB-PGY-Al(OH)3
RDB-PGY-Al2O3
RDB-NM-Al(OH)3
RDB-KJJ-Cu
RDB-KJJ-Ag
RDB-FSY-Cu2O
RDB-FSY-CuO
RDB-FSY-Y2O3
RDB-FSY-CeO2