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二硫化钼晶体-MoS2
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上海研倍新材料科技有限公司
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上海研倍
二硫化钼晶体-MoS2
323
产品技术参数：
| 产品名称 | 二硫化钼晶体-MoS2 |
| 货号 | RDB-DJ-005 |
| 性质 | 半导体 |
| 带隙 | 块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV |
| 参数 | 尺寸：~10 mm-30 mm |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研究 |
产品规格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
大尺寸晶体照片:
XDR: Raman:
RDB-FSY-SiO2
RDB-FSY-HfO2
RDB-RJ-Al
RDB-PGY-Al(OH)3
RDB-PGY-Al2O3
RDB-NM-Al(OH)3
RDB-KJJ-Cu
RDB-KJJ-Ag
RDB-FSY-Cu2O
RDB-FSY-CuO
RDB-FSY-Y2O3
RDB-FSY-CeO2
