1、产品信息

• 砷化铝是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。

• 它具有较高的熔点(1,621°C)和沸点(2,970°C),热稳定性良好。

• 砷化铝为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

• 此外,砷化铝还具有优异的电子迁移率和光学特性,是制造光电子器件的理想材料。

• 2、产品规格

• 1、样品测试包装客户指定（＜1kg/袋装）

• 2、样品产品包装（1kg/袋装）

• 3、常规产品包装（1kg/2kg/5kg/10kg）

• 备注：内：充惰性气体 外：铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。

3、产品概述

产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成，产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。

4、产品用途

主要用作III-V族化合物半导体器件(如高电子迁移率晶体管、激光器、光探测器)的活性层材料。

还可用于制造太阳能电池、发光二极管、集成光电子芯片等光电功能器件。

此外,AlAs还是制备其他III-V族化合物的前驱体,在光电子和微电子领域有广泛应用前景。