粉体行业在线展览
YB-FM-InN
面议
上海研倍
YB-FM-InN
316
可定制
1、产品信息
氮化铟是一种III-V族宽带隙半导体材料,具有优异的电子和光学性能。
它在常温下相对稳定,但在高温和腐蚀性环境中可能发生化学反应。
氮化铟晶体结构为六方晶系,呈现六角蜂窝状结构。
2、产品规格
1、样品测试包装客户指定(<1kg/袋装)
2、样品产品包装(1kg/袋装)
3、常规产品包装(1kg/2kg/5kg/10kg)
备注:内:充惰性气体 外:铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。
3、产品概述
产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成,产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。
4、产品用途
氮化铟广泛应用于制造高效率的发光二极管(LED)、激光器和功率电子器件。
它在太阳能电池、高频电子器件和红外探测器等领域也有重要应用。
此外,氮化铟在某些特殊的热管理、光催化和传感器等领域也有潜在用途。
RDB-FSY-SiO2
RDB-FSY-HfO2
RDB-RJ-Al
RDB-PGY-Al(OH)3
RDB-PGY-Al2O3
RDB-NM-Al(OH)3
RDB-KJJ-Cu
RDB-KJJ-Ag
RDB-FSY-Cu2O
RDB-FSY-CuO
RDB-FSY-Y2O3
RDB-FSY-CeO2