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共找到338127条产品,分16907页,当前第219
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全自动插片清洗一体机配备吸水板、花篮定位、慢提拉、烘干槽等,高效分片,降低碎片率。采用日本基恩士总线通讯系统,绝对值总线伺服,可快速抓取处理生产数据,实现智能监控。兼容各种规格的硅片尺寸,各尺寸切换时
 
267 辽宁 给我留言
RCA槽式清洗设备产品功能1.去除PSG2.去除多晶硅沉积的正面(LPCVD)PECVD绕镀层,去除表面剩余的BSG
 
266 辽宁 给我留言
湿法刻蚀设备产品功能去除背面PSG和抛光处理。湿法刻蚀设备产品功能去除背面PSG和抛光处理。
 
198 北京 给我留言
半片切片机QP1200产品特点1、水平&竖直轴距最小且均可调2、半片专机或定制全规格兼容最多19档可选,可调轴距范围310-410mm
 
207 辽宁 给我留言
切片机QP950产品特点1、水平&竖直轴距最小且均可调2、最多19档可选,可调轴距范围310-410mm3、全规格兼容半片、整片、矩形片4、单机可满足前/中/后端自动化上下料
 
227 辽宁 给我留言
磨倒一体机LT-GMS2510产品特点1、自动上料定心,智能定位工件,提高异常棒兼容性2、自动检测余量,智能匹配切深,提高加工效率≤30s3、自动检测刀耗,智能补给损耗,提高成品精度4、自动五维可纠偏
 
241 辽宁 给我留言
四环线开方机QHFA2395产品特点1、产能优先,可实现1GW/1台超高产能2、配备回转交换工作台,辅助时间≤30s3、四环线同时切割,配合张力控制算法,极差≤0.15mm
 
195 辽宁 给我留言
双工位截断机QDHS35850产品特点1、创新理念,单刀双工位,随切随下料,提高自动化周转率2、前置检测,提高定长段比率,实现单产≥3GW3、后端送料,配备高精度检测机构,定长误差≤0.2mm
 
216 辽宁 给我留言
双刀头截断机QDHZ35850产品特点1、独创模式,实现截断工序头尾、样片自动化2、高速高效,一次切割完成全部工序,单产≥6GW3、自动调心,结合多重辅助支撑,提高表面垂直度,降低崩边
 
217 辽宁 给我留言
单刀头环线反切截断机QDHA35100产品特点1、领先理念,通过伺服上料台对接工件,实现反切工序自动化2、高效稳定,可选双线双伺服张力配置,实现样片一次性切割3、算法更新,优化张力控制、进给工艺,提高
 
263 辽宁 给我留言
应用领域:该设备主要应用于紫铜、不锈钢、可伐合金、钛合金、硬质合金等金属材料的真空钎焊;也可适用于陶瓷、PCD、CBN、PCBN、单晶刀具、蓝宝石等非金属材料的真空钎焊工艺;产品特点:1、成品率高,自
 
389 天津 给我留言
设备用途:该产品主要应用于粉末冶金,陶瓷金属化,透明陶瓷,氮化硅半导体等行业气氛/真空脱脂烧结,包括铜,钨,钛合金等金属以及由难熔金属组成的合金材料的真空烧结,回火及退火工艺。产品特点:1、采用集成化
 
457 天津 给我留言
排胶预烧一体炉适用于介质陶瓷滤波器、低温共烧陶瓷LTCC、陶瓷电容器MLCC、陶瓷电路板、光电通信陶瓷芯片、雾化传感器等精密电子陶瓷元器件的脱脂排胶、预烧和烧结一体化热处理工艺,氮化铝基板、氮化硅基板
 
388 天津 给我留言
晶圆缺陷检测设备具有明场DIC、暗场和先进的AI技术。F2000可检测裸片和外延片表面的颗粒和划痕等缺陷。其性能与KLASP1相当。该工具应用于HVM晶圆制造和ICFab中各种前端工艺节点的检测,以提
 
271 北京 给我留言
设备描述Features晶圆搬运EFEM:6”/8”SMIFor12”FOUP适用晶圆Si/GaN/SiC晶圆翘曲不大于200um晶圆厚度350um~1.5mm(在晶圆底部打开并夹持)照明系统明场和斜
 
232 北京 给我留言
E3200是针对GaN功率器件和HBGaNLED应用,可以检测GaN衬底及PSS基GaN、Si基GaN和SiC基GaN等外延片的表面和荧光缺陷,最小检测颗粒81nm。可以检测并区分颗粒(particl
 
201 北京 给我留言
在现代工业生产中,气力输送设备扮演着至关重要的角色,而仓泵作为其中的一种重要设备,广泛应用于物料输送、仓储、加工等多个领域。选择一款适合自己需求的气力输送泵显得尤为关键。鑫北方——北方压力容器(济南)
 
128 山东省济南市 给我留言
E1000化合物半导体缺陷检测设备Eagle1000化合物半导体缺陷检测设备可以检测蓝宝石,砷化镓,钽酸锂,石英玻璃,磷化銦等衬底及外延片。可以检测并区分颗粒(particle)、凹坑(pit)、凸起
 
234 北京 给我留言
E3500是针对SiC材料的缺陷检测设备,可以检测SiC衬底、同质外延等的表面和荧光缺陷。可以检测并区分三角、carrot、downfall、micropipe、SF、BPD等缺陷。支持4@、6@、8
 
222 北京 给我留言
适应晶圆尺寸WaferSizelSize:4",6"compatible检测缺陷类别Defecttypesl常规检测:微观亮/暗缺陷、宏观亮/暗缺陷、刮伤(Scratch)、def
 
201 北京 给我留言