账号

密码

忘记密码
产品
全站
  • 全站
  • 厂商
  • 产品
共找到347443条产品,分17373页,当前第202
产品图片
展品信息+公司
关注度
产地
给我留言
CG型智能化控制炒药机(红外线在线测温)主要用途:用于中药饮片的清炒、加固体辅料炒,及食品农副产品等。CG型智能化控制炒药机(红外线在线测温)主要特点:多靶点温度在线检测与控制,通过PAC可编程自动化
 
278 浙江 给我留言
RQXL型真空气相置换式润药机主要用途:用于中药材及农副产品的增湿、软货。RQXL型真空气相置换式润药机主要特点:1、配置蓄冷式真空气流除水装置,确保润药高真空度;2、药材含水率低且可控,软化均匀且快
 
276 浙江 给我留言
CBX型干式除尘机主要用途:用于除去空气中的粉末、灰尘、尘埃,适用于烘干、风选、筛选等设备的除尘和空气净化。CBX型干式除尘机主要特点:集过滤器、消声器、电控装置于一体,采用半自动电动震荡清灰方式,具
 
272 浙江 给我留言
XSG型循环水洗药机(鼓式)主要用途:本产品适用于种子类、块根类中药材的水洗。其他类型的中药材建议选用直通式XST系列的洗药机。(规格、参数与XSG系列相同)。XSG型循环水洗药机(鼓式)主要特点:鼓
 
299 浙江 给我留言
石英载盘基板JSG2介绍:JSG2是一种天然或合成的石英材料,具有优异的热稳定性、化学惰性和低热膨胀系数。石英载盘基板材质石英玻璃JGS2直径50.8mm100mm101.4mm150mm159mm2
 
312 江苏 给我留言
碳化硅陶瓷载盘厚度0.75mm直径156mm气孔径<5μm双面平面度≤15μmTTV≤3μm,5点量测平行度≤15μm翘曲度要求90℃-250℃宏观目视不翘曲变形密度1.8~2.4g/cm3气孔率30
 
325 江苏 给我留言
产品介绍特性石英JGS1石英JGS2TGV工艺石英高硼硅玻璃BF33材料类型220nm-2500nm中等纯度石英(天然或合成)高纯度石英(可能为合成或熔融石英)高硼硅玻璃(含硼氧化物)主要成分SiO₂
 
268 江苏 给我留言
产品介绍特性石英JGS1石英JGS2TGV工艺石英高硼硅玻璃BF33材料类型220nm-2500nm中等纯度石英(天然或合成)高纯度石英(可能为合成或熔融石英)高硼硅玻璃(含硼氧化物)主要成分SiO₂
 
365 江苏 给我留言
介绍:碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-on-SiCHEMT)外延技术是在碳化硅(SiC)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜,结合了GaN的高频高功率性能和SiC优异的导热性。⠀应用:用于5G基站
 
324 江苏 给我留言
介绍:金刚石是由碳原子以四面体结构紧密排列形成的晶体,具有极高的硬度、优异的热导率和宽光学透明范围。它是目前已知最硬的天然材料,同时在高温高压条件下可以通过人工合成。⠀应用:金刚石广泛用于切割、钻探、
 
372 江苏 给我留言
产品规格书⠀⠀金刚石多晶直径25.4±0.3mm50.8±0.5mm厚度450±30μm450±30μm生长方式MPCVD正面状态Polished,Ra<1.0nm反面状态Polished;Grind
 
314 江苏 给我留言
介绍:碳化硅(SiC)外延P型是通过在SiC衬底上生长掺杂受主杂质(如铝或硼)的外延层实现的,具有宽禁带、高导热性和高击穿电场等特性。⠀应用:应用于功率电子(高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动)、
 
326 江苏 给我留言
介绍:硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延是在硅衬底上生长氮化镓薄膜的技术,结合了GaN的高性能和硅衬底的低成本优势。⠀应用:用于高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动的功率电子器件;适用于5G基站、
 
326 江苏 给我留言
1)全面的工艺流程:本方案涵盖了上料、带电撕碎、低温烘干、气流分选、尾气处理、细碎、多组筛分分选以及铜铝剥离等多个系统,形成了一套完整的电池回收处理流程。2)高效的输送系统:通过过渡料仓、皮带输送机、
 
531 山东潍坊 给我留言
产品规格书⠀⠀蓝宝石基氮化铝外延衬底Tempalte(2~6inch)衬底直径50.8mm100mm150mm蓝宝石衬底厚度430μm650μm1000μm蓝宝石衬底表面FSS/PSS/NPSSFSS
 
298 江苏 给我留言
产品规格书⠀⠀蓝宝石基氮化镓HEMT外延(2~8inch)衬底直径50.8mm100mm150mm200mm蓝宝石衬底厚度430μm650μm1000μm1600μm蓝宝石衬底表面FSS/PSS/NP
 
324 江苏 给我留言
产品规格书⠀⠀蓝宝石基氮化镓LED外延(2~8inch)衬底直径50.8mm100mm150mm200mm蓝宝石衬底厚度430μm650μm1000μm1600μm蓝宝石衬底表面FSS/PSS/NPS
 
347 江苏 给我留言
产品规格书⠀⠀蓝宝石基氮化镓外延衬底Tempalte(2~8inch)衬底直径50.8mm100mm150mm200mm蓝宝石衬底厚度430μm650μm1000μm1600μm蓝宝石衬底表面FSS/
 
275 江苏 给我留言
介绍:磷化铟(InP)是一种III-V族化合物半导体,具有直接能隙(1.34eV)、高电子迁移率和优异的光学性能。其低光损耗和高带宽特性使其成为高速电子和光电子器件的重要材料。⠀应用:磷化铟广泛应用于
 
275 江苏 给我留言
介绍:砷化镓(GaAs)是一种III-V族化合物半导体,具有直接能隙(1.43eV)、高电子迁移率和优异的高频特性。其高速、低噪声和抗辐射性能使其成为微波射频、光电子和功率器件的重要材料。⠀应用:砷广
 
307 江苏 给我留言