粉体行业在线展览
PMST
60-70万元
普赛斯仪表
PMST
475
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
半导体功率器件静态测试系统简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、uΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法 灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
系统组成
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开 关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机,内置多种电压、电流等级的测量单元。结合自主开发的上位机软件控制测试主机,可根据测试项目需要,选择不同的电压、电流等级,以满足不同测试需求。
系统主机的测量单元,主要包括普赛斯P300高精度台式脉冲源表、HCPL系列高电流脉冲电 源、E系列高压源测单元、C-V测量单元等。其中P300高精度台式脉冲源表用于栅极驱动与测试使用,**支持30V@10A脉冲输出与测试;HCPL系列高电流脉冲电源用于集电极、发射极之间电流测试及续流二极管的测试,15us的超快电流上升沿,自带电压采样,单设备支持Z大1000A脉冲电流输出;E系列高压源测单元用于集电极、发射极之间电压,漏电流测试,Z高支持3500V电压输出,并且自带电流测量功能。系统的电压、电流测量单元,均采用多量程设计, 精度为0.1%。
产品特点
高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);
大电流:支持高达4KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
技术指标
功率器件静态测试系统主要由多台源表、电桥、矩阵开关、PC、上位机控制软件、夹具盒等组成。针对不同的测试需求,用户可以选择不同源表、夹具等
PMST系统配置 | 关键参数 | 备注 |
P系列 | PW高达30V/10A、300V/1A | 栅极特性测试 |
CW高达300V/0.1A、30V/1A | ||
*小脉冲宽度200uS | ||
HCP系列 | PW高达30V/100A | IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
CW高达10V/30A | ||
*小分辨率30uV/10pA | ||
*小脉冲宽度80uS | ||
HCPL系列 | 单台PW高达12V/1000A,可多台并联 | |
*小脉冲宽度50uS | ||
E系列 | CW高达3500V/100mA | IGBT击穿电压测试 |
*小分辨率10mV/100pA | ||
测量精度0.1% | ||
电桥 | 频率范围:20Hz~1MHz | IGBT各级间电容测试 |
HVP系列提供0~400V直流偏置电压 | ||
预置偏置电阻100kΩ | ||
矩阵开关 | / | 电路切换及源表切换 |
主机 | / |
|
测试夹具 | 根据器件封装形式定制 |
|
系统具体配置由用户自行选择,以车规IGBT为例,一般配置如下:
设备名称 | 数量 | 功能 |
P300脉冲源表 | 1台 | 测试栅极(基极)特性; |
E100高电压源测单元 | 1台 | 测试集电极发射极(漏极源极)耐压及漏电流; |
HCPL100高电流脉冲电源 | 1台 | 测试功率管导通电阻及续流二极管前向压降; |
电桥 | 1台 | 客户指定或我司推荐,测试各极间电容; |
PC机 | 1台 | 运行我司上位机软件程序; |
矩阵开关 | 1台 | 按照国际要求进行电路切换及源表切换; |
夹具 | 至少1个 | 针对不同的封装形状需要使用不同的测试夹具; |
半导体功率器件静态测试系统应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
LHTG/LHTM/LHTW
Empyrean
V-Sorb4800-金埃谱
EMIA-820V
Hydrolink
Autoflex R837
3H-2000A
SQL810C/1010C
UNI800B
略
BI-ZTU