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4H-N型SiC衬底
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宁波合盛新材料有限公司
浙江
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387
碳化硅(SiC)晶体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优越性能,被认为是制备高频大功率器件、高温电子器件、微波器件*有应用前途的材料,被广泛应用于新能源汽车电机驱动、充电桩、光伏逆变器等领域。
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