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碳化硅单晶生长炉

碳化硅单晶生长炉

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哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

黑龙江

产品规格型号
参考报价:

面议

品牌:

哈尔滨科友

型号:

碳化硅单晶生长炉

关注度:

448

产品介绍

一、生产对象:

生产六英寸碳化硅晶体

二、炉体结构:

石英管炉,石英管内径400mm以上;抽空管道材质304;机架及门板材质为铝合金等满足结构强度的材料;线圈内径≥420mm; 表面带绝缘涂层处理

三、底座结构:

需装载架承载热区,并可由合适的装载卸载设备从底部进行装载或卸载。

四、设备参数:

加热系统:6英寸线圈                                                                                                                         进气阀(控制):                                                                                                    2个;工艺氩气流量1100Sccm;氮气流量55Sccm;
工作温度:满足2650°C以内工艺要求;有效加热功率≥40KW中频感应电源:

额定功率≥40KW,电流精度0.05%,谐振频率(kHz)10-12KHz单高温计配制,上测温,仅用于温度监视。测量范围包括1000℃~3000℃,测温精度 ±0.5%F.S.,测温重复精度±2℃;测温仪采用FLUKE E1RH系列红外高温计通气 150sccm Ar 时工艺控压(P)的精度:1500Pa以下的控压精度:目标值±20Pa,1500Pa至10000Pa的控压精度:目标值±50Pa

线圈和坩埚相对位置移动系统:可以实现 慢速0.02~10㎜/h,快速≥100㎜/min的相对位置移动动作,升降系统需带上下限位。使用机械泵加分子泵实现真空。控制系统:全自动控制系统,实现整个长晶过程的全自动控制;采用功率控制模式。
冷态或空炉时包括放气率的总漏率:≤5.0E-9mBar·L/s ;极限真空下,保压12h,压升≤5Pa。控制系统数据和权限管理:可对长晶过程中的关键数据进行实时记录并存档,可追溯分析;直观液晶显示的人机交换界面,拥有用户登录及账户管理系统,为方便生产管理,可为不同的账户分配不同的权限。
工艺气体流量测量控制器(MFC):2个或以上;流量计精度±0.25%F.S.(<35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.)装料量要求及结构承重:下炉盖及升降系统能承重48公斤或以上重量。
工艺气体流量控制系统:Ar和N2可按工艺节点设定,进行全自动坡度调节。出炉/进炉方向:下出料。


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