Intense**的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙，可在同一腔内产生有源区和无源区，并在腔面形成一种无源吸收反射镜(NAMs)，可有效地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变(COMD)，性能更可靠稳定。产品包括：高功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列，可独立寻址的半导体激光器阵列。

主要特点

·量子阱混合技术、300个独立控制发射单元

·波长808， 830， 980 nm，单路功率<160mW

·节约成本、高可靠性

·应用包括直接打印、激光打标系统