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转炉、钢包和中间包滑板铸孔镶嵌用氧化锆板是以高纯氧化锆为主要原料，添加氧化镁、氧化钇、氧化钙等复合稳定剂，采用高速混合造粒工艺并液压成型的高温烧成制品。所制得的氧化锆耐火材料与传统工艺生产的产品相比，
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5051 | 浙江 | 给我留言 |
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1、产品信息货号厚度纯度（%）形貌颜色RDB-BC-Cr可定制99.9靶材灰色、银色或金属光泽2、产品规格定制3、产品概述铬靶材通常用于制造光学薄膜、镀膜材料、半导体器件和其他高科技领域的产品。它具有
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1224 | 上海 | 给我留言 |
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1.工艺与结构1.1工艺：由陶瓷骨料与各种金属通过特殊的微细化、活化、浸润等一系列材料基体处理工艺合成，是一种新型铸造耐磨材料。1.2结构：熔瓷耐磨衬板由耐磨陶瓷骨料和高韧金属基构成，巧妙的强化了成分
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231 | 山东 | 给我留言 |
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陶瓷衬板是一种以氧化铝（AL2O3）为主体的材料,辅加其它配料,经过高温1700°C烧结成的,广泛应用于火电、钢铁、冶炼、机械、煤炭、矿山、化工、水泥、港口码头等企业的输煤、输料系统、制粉系统、排灰、
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237 | 山东 | 给我留言 |
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名称：半绝缘型碳化硅衬底编号：02-2规格：>1E5Ω·cm材质：碳化硅产地：中国名称：半绝缘型碳化硅衬底编号：02-2规格：>1E5Ω·cm材质：碳化硅产地：中国
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466 | 浙江 | 给我留言 |
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572 | 浙江 | 给我留言 |
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23376 | 江苏 | 给我留言 |
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4英寸半绝缘型衬底技术成果零微管密度控制技术单一晶型控制技术包裹物控制技术电阻率控制技术杂质调控技术衬底台阶宽度控制技术直径99.5mm-100.0mm晶型4H厚度500μm±15μm晶片方向无偏转角
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533 | 北京 | 给我留言 |
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441 | 北京 | 给我留言 |
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产品概述导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器
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497 | 北京 | 给我留言 |
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产品规格书车规级（Z级）研发型（D级）直径149.5mm-150.0mm晶型4H厚度350μm±15μm晶片方向偏转角度：向<11-20>偏转4.0±0.5°微管密度≤0.2cm-2电阻率
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572 | 北京 | 给我留言 |
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产品概述导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器
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551 | 北京 | 给我留言 |
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导电型SiC衬底导电型碳化硅衬底是支撑电力电子行业发展必不可少的重要材料，可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车、光伏逆变、轨道交通电力控制系统等领域。Then-TypeSubstratesisan
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643 | 北京 | 给我留言 |
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分体式台阶形衬板采用拆分式组合衬板，波峰与底板分开设计，其不仅具备台阶形衬板节能、提产的功能。还可以降低成本，一般情况下，更换2-3次波峰仅需更换1次底板，可大幅度减少球磨机衬板的材料消耗和费用。
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876 | 湖南 | 给我留言 |
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底板采用特殊耐磨橡胶制造，波峰采用耐磨金属材料制造，不仅具备台阶形衬板节能、提产的功能，还具备重量轻、高耐磨、耐腐蚀、耐冲击、易安装、低噪音等优点。
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921 | 湖南 | 给我留言 |
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针对物料特性量身定做，使非常多的研磨体跌落到研磨效率最高的位置，从而使球磨机的研磨效率大幅度提高，球磨机的电耗也由此大幅度降低，同时可以提升球磨机的产能，该产品为国家重点新产品。衬板材质：1、锰硅铬钼
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1150 | 湖南 | 给我留言 |
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1255 | 广东 | 给我留言 |
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JTYPEI®GF30是一款30%短切玻璃纤维增强的聚醚酰亚胺（PEI）型材。PEI为无定型态的聚合物，玻璃化转变温度高达215℃，具有与PEEK相当的机械性能，也具有优异的耐热性能、绝缘性能、阻燃性
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959 | 江苏 | 给我留言 |
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JTYPEI®NA是一款聚醚酰亚胺（PEI）纯料生产的型材。PEI为无定型态的聚合物，玻璃化转变温度高达215℃，具有与PEEK相当的机械性能，也具有优异的耐热性能、绝缘性能、阻燃性能。该产品可用于在
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1397 | 江苏 | 给我留言 |
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3892 | 山东威海 | 给我留言 |