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一、设备简介该款设备是由单端封口红外滑轨炉、高真空机组、供气系统及操作控制界面组成,内控热电偶用于控制RTP炉内的温度,出气口通过连接手动挡板阀、波纹管用于对石英舱体内的真空获取,进气口除用于通入保护
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1064 | 安徽合肥 | 给我留言 |
美国SVT脉冲激光沉积设备/PLD应用●多元素复合氧化物●高温超导材料●磁性材料、金属材料●低蒸汽压材料●MEMS基本系统腔室及真空泵12’’快速门,250l/s分子泵,全量程规沉积源靶台,6X1’’
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103 | 北京 | 给我留言 |
219 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:RSA-06产品介绍:Ceramic,MetalFree的热场设计可以实现±10℃以下(1500℃)的面内温度分布。急加热急冷却的设计,即使单片对应整体速度也很快反应炉和冷却室是分
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238 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:SGM-9100产品介绍:SGM-9100是一款适用于化合物半导体晶片中难研削材料、脆性材料的高精度CtoC全自动研削减薄机,加工轴采用2轴、3卡盘、旋转台方式。加工方式采用间歇性
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232 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:M150A产品介绍:MIST-CVD氧化物薄膜沉积设备M150A是一种新型氧化物成膜技术,具有节能安全、易操作等优点,可广泛应用于第四代半导体Ga2O3,直接宽带隙光电半导体材料Z
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252 | 天津 | 给我留言 |
214 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:FATB系列产品介绍:高还原性低温热压键合设备可实现Ar,N2,高活性还原气体等多种气氛,可实现芯片到晶圆尺寸的低温热压键合。产品特性:技术参数:
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241 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:CS-200产品介绍:Densecarbonfilmforhightemp.annealMax.Substrateφ200㎜(Transfertrayavailable)产品特点:
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206 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:Ailesic-2000产品介绍(Ailesic-2000):1.GoodOperationFlexibilityandProductivity-RapidHeating&
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245 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:NA-8000产品特点介绍:1.AllinOnesystem-AllunitssuchaasM/Wplasmaandpowersupply,Controllunit,andpump
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196 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:SME-200J产品介绍:1.200mm×200㎜Substrate(Transfertrayavailable)2.ThinWaferAutotransfer3.MaskSput
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184 | 天津 | 给我留言 |
产品图片:产品型号:SRH-420产品特点介绍:1.PreciseSputteringwithwafertemp.control2.Simpletransfersystem3.ThinWafer(&l
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185 | 天津 | 给我留言 |
产品型号:Ailesic-1500产品介绍(Ailesic-1500):1.Adaptto1500℃ExtraHighTempProcesses-RapidHeating:~20℃/min(10℃/m
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231 | 天津 | 给我留言 |
GaN6寸/8寸外延炉EPIREVOG8是日本株式会社东芝的子公司纽富莱(NuFlare)的主要产品之一。EPIREVOG8通过在在200㎜Si衬底上高质量的高速成膜,从而降低功率器件和RF器件成本的
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233 | 上海 | 给我留言 |
产品型号:SGM-9100产品特点:①本款全自动减薄机适用于化合物半导体晶片等切削研磨加工难度大的脆性材料。②设备自带减薄加工工艺,可实现高精度加工。操作方式为片盒到片盒(cassettetocass
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242 | 上海 | 给我留言 |
产品特征高精度精密的光学系统和先进的测校等技术,保证设备高分辨率,支持新型显示屏的高精度曝光。低使用成本较低的运营和维护费用:采用标准6英寸掩模(或其加长版),2倍放大成像,显著降低掩模费用。可拼接曝
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314 | 上海 | 给我留言 |
产品特征高产率SSB320和SSB380机型可提供53.5mm×33mm超大曝光视场,并配置了高速传输系统、高速高精度运动台系统和高照度照明系统,实现高产率,显著降低客户拥有成本。高分辨率SSB300
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423 | 上海 | 给我留言 |
产品特征出色的污染防护全折射式投影物镜提供了超长工作距,以及封闭式的物镜和照明系统,避免光刻胶等有机物挥发造成光路污染。工艺适应性强厚胶曝光时可通过调整NA来获得更大焦深,支持高深宽比图形曝光。拥有独
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323 | 上海 | 给我留言 |
SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的
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351 | 上海 | 给我留言 |
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