共找到360420条产品，分18021页，当前第69页
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电火花用等静压石墨材料我公司生产的各向同性超细等静压石墨材料性能极佳，可以适用于电火花加工行业。根据客户需求，针对不同的使用场景，定制化加工成各种器件。
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174 | 四川 | 给我留言 |
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高端等静压石墨作为3C产品设计用热弯玻璃模具材料，需要满足良好的热稳定性、导热性以及合适的热膨胀系数等要求，我公司提供适用于该行业的高端等静压石墨材料，具有极高的性价比和使用寿命。
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193 | 四川 | 给我留言 |
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多孔石墨是解决碳化硅晶体长厚的核心技术之一，我公司研发的多孔石墨材料，能够平衡其气相组分、控制气相物质传输速率以及调节温度场分布，可以有效提高产品的良品率。
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160 | 四川 | 给我留言 |
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146 | 四川 | 给我留言 |
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我公司在现有艾奇逊石墨化炉基础上进行了有效改造，将待提纯的石墨粉投入特制石墨坩埚中进行高温提纯。我们采用新型直流式复合高温热化学提纯工艺，通过关键技术将微量杂质去除，产品纯度可达到6N以上。高纯石墨粉
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150 | 四川 | 给我留言 |
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乔枫的低温喷雾干燥机（QFN-PWDW系列喷雾干燥机可实现35度到100度范围内）可实现连续35°C低温喷雾干燥机,回收率高.保留物料活性。可定制成高低温一体喷雾干燥机（QFN-PWGD）系列高低温喷
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134 | 上海 | 给我留言 |
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硅半导体晶体生长所有工艺都在高温、腐蚀性环境下运行，耐高温和抗腐蚀的高纯石墨部件广泛应用于晶体生长炉的热区。为了满足硅半导体行业客户的个性化需求，我公司可以定制提供精良的等静压石墨材料及组件，加工后可
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168 | 四川 | 给我留言 |
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为满足半导体客户在外延制造过程中对高纯石墨部件的需求，我公司致力于外延部件相关新工艺的深入研发，例如石墨基座的新型提纯工艺。通过新型提纯工艺有效降低石墨盘灰分，确保石墨基座在腐蚀气体环境与高低温循环条
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167 | 四川 | 给我留言 |
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离心喷雾干燥机型号选型核心依据「产能需求、物料特性、生产场景」三大维度，结合上述核心型号，明确选型逻辑，突出其离心雾化、不易堵塞、适配高粘度物料的核心优势，帮助采购商精准匹配，避免产能浪费或设备适配不
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139 | 江苏常州 | 给我留言 |
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等静压石墨材料用于碳化硅衬底生产用长晶炉的热区，需具备高纯度、耐高温和抗腐蚀等特性，同时具备与涂层相近的热膨胀系数（CTE）。为了满足半导体行业客户对特种石墨的需求，我公司可以按需提供精良的等静压石墨
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204 | 四川 | 给我留言 |
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乔枫的低温喷雾干燥机（QFN-PWDW系列喷雾干燥机可实现35度到100度范围内）可实现连续35°C低温喷雾干燥机,回收率高.保留物料活性。可定制成高低温一体喷雾干燥机（QFN-PWGD）系列高低温喷
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126 | 上海 | 给我留言 |
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压力喷雾干燥机核心主流型号以LPG系列为核心（工业级首选），同时包含小型试验型、专用定制型，型号命名以“基本型号+产能参数”为核心，不同型号对应不同水分蒸发量、处理量，精准适配从小批量试验到大规模量产
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143 | 江苏常州 | 给我留言 |
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1.主要用途Pure系列快速纯化色谱系统是一款功能强大的高性能纯化分离系统。系统设计紧凑，具备高性能，操作简单方便，设计参数可满足几乎所有应用情况。独有的多通道检测系统，可按所有的检测信号收集馏分，优
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348 | 瑞士/中国 | 给我留言 |
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单锥真空干燥机是专为制药、精细化工、新能源等行业设计的高效密闭干燥设备，核心用于将粉体、颗粒、膏状等各类物料，在低温真空环境下实现干燥与混合一体化处理，主打“高效节能、密闭合规、护料性强、操作便捷”，
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125 | 江苏常州 | 给我留言 |
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1.主要用途Pure系列快速纯化色谱系统是一款功能强大的高性能纯化分离系统。系统设计紧凑，具备高性能，操作简单方便，设计参数可满足几乎所有应用情况。独有的多通道检测系统，可按所有的检测信号收集馏分，优
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375 | 瑞士/中国 | 给我留言 |
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1.主要用途Pure系列快速纯化色谱系统是一款功能强大的高性能纯化分离系统。系统设计紧凑，具备高性能，操作简单方便，设计参数可满足几乎所有应用情况。独有的多通道检测系统，可按所有的检测信号收集馏分，优
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380 | 瑞士/中国 | 给我留言 |
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七水氯化铈无水氯化铈现货指标可按要求定制分子式：CeCl3分子量：372.59CASNO.:18618-55-8外观性状：无色或淡黄色氯化铈广泛工业应用医药领域：合成中间体、铈盐原料；电子材料：硬质合
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130 | 济宁 | 给我留言 |
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实验型喷雾干燥机是专为高校、科研院所、药企研发中心及企业实验室设计的精密干燥设备，核心用于将溶液、乳浊液、悬浮液等液体物料，通过雾化技术瞬间转化为粉体产品，主打“小型化、高精度、便捷化、护料性强”，完
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169 | 江苏常州 | 给我留言 |
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339 | 凤阳县 | 给我留言 |
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4英寸3CN型碳化硅衬底产品介绍3CN型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100cm2/V∙s；4H-SiC，900cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层
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198 | 北京 | 给我留言 |