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6英寸SiC晶体

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眉山博雅新材料股份有限公司

四川

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品牌:

博雅新材

型号:

6英寸SiC晶体

关注度:

36

产品介绍

眉山天乐半导体6英寸SiC晶体产品标准
6-inch SiC Ingot Specification
序号
Item
等级
Grade
精选级(Z级)
Zero MPD Grade
工业级(P级)
Production Grade
测试级(D级)
Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1 晶型
Polytype
4H-N
1.2表面晶向偏离度
Surface orientation error
Off axis:4.0°toward<11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1掺杂剂
Dopant
Nitrogen
2.2电阻率
Resistivity
0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1直径
Diameter
149.5mm-150.0mm
3.2厚度
Thickness
≥15mm
3.3主定位边方向
Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位边长度 Primary Flat LengthIngot flat length47.5mm±2.0mm
Seed flat lengthNone
4.结构 Structure
4.1微管密度
Micropipe density
≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.2螺位错
TSD
≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.3基平面位错
BPD
≤400cm-2≤800cm-2/
4.4刃位错
TED
≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.晶体质量 Ingot Quality
5.1六方空洞
Hex plate
NoneCumulative area ≤0.1%
5.2划痕
Scratches
NoneCumulative length ≤1x wafer diameter
5.3缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone≤0.2 mm<3, ≤1mm width and depth
5.4目测包裹物
Visual carbon inclusion
NoneCumulative area ≤0.05%Cumulative area ≤3%
5.5多型
Polytype areas
NoneNoneCumulative area ≤3%
6.边缘轮廓 Edge
6.1边缘裂纹
Edge Cracks
NoneNoneCumulative length ≤20mm,
single length ≤2 mm
7.包装 Packaging
7.1晶锭标记
Ingot Marking(carbon side)
Carbon face label
7.2包装
Packaging
单晶锭包装
Single Ingot Package
Notes: None means no request.
眉山天乐半导体6英寸SiC晶体产品标准
6-inch SiC Ingot Specification
序号
Item
等级
Grade
精选级(Z级)
Zero MPD Grade
工业级(P级)
Production Grade
测试级(D级)
Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1 晶型
Polytype
4H-N
1.2表面晶向偏离度
Surface orientation error
Off axis:4.0°toward <11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1掺杂剂
Dopant
Nitrogen
2.2电阻率
Resistivity
0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1直径
Diameter
149.5mm-150.0mm
3.2厚度
Thickness
≥15mm
3.3主定位边方向
Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位边长度 Primary Flat LengthIngot flat length47.5mm±2.0mm
Seed flat lengthNone
4.结构 Structure
4.1微管密度
Micropipe density
≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.2螺位错
TSD
≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.3基平面位错
BPD
≤400cm-2≤800cm-2/
4.4刃位错
TED
≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.晶体质量 Ingot Quality
5.1六方空洞
Hex plate
NoneCumulative area ≤0.1%
5.2划痕
Scratches
NoneCumulative length ≤1x wafer diameter
5.3缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone≤0.2 mm<3, ≤1mm width and depth
5.4目测包裹物
Visual carbon inclusion
NoneCumulative area ≤0.05%Cumulative area ≤3%
5.5多型
Polytype areas
NoneNoneCumulative area ≤3%
6.边缘轮廓 Edge
6.1边缘裂纹
Edge Cracks
NoneNoneCumulative length ≤20mm,
single length ≤2 mm
7.包装 Packaging
7.1晶锭标记
Ingot Marking(carbon side)
Carbon face label
7.2包装
Packaging
单晶锭包装
Single Ingot Package
Notes: None means no request.


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