为满足纳米级电子束曝光系统的需求，北京金竟科技有限责任公司**推出自主研发的Pharos Ex图形发生器系统。图形发生器是电子束曝光系统的核心部件，采用现场可编程逻辑门阵列器件（FPGA）作为核心处理器，将矢量图形数据转换为电子束曝光数据，通过优化设计的数模转换电路，将数字量转化成高精度的模拟量，驱动扫描电镜的扫描偏转系统偏转电子束进行多路径扫描。

图形发生器对标准样片进行图像采集，完成写场的线性畸变校正（扫描场增益、旋转和位移校正）。图形发生器控制束闸的通断，配合高精度X-Y纳米位移台，可实现写场的拼接及套刻，拼接及套刻精度优于100 nm。

技术参数

(1)图形拼接精度：≤±100 nm（含有高精度位移台）；

(2)图形套刻精度：≤±100 nm（含有高精度位移台）；

(3)扫描速度：**至20 MHz；

(4)线宽测量：根据SEM类型，优于50nm（场发射扫描电镜）；

(5)配置高精度压电位移台；

(6)可选配电子束束闸及其控制器，信号开关速度优于50ns。