设备型号：ZHD400

镀膜方式：多源蒸发镀膜

真空腔室结构：立式方形前开门结构

真空腔室尺寸：L400mm×W440mm×H450mm

加热温度：室温～ 300℃

基片台尺寸：120mm×120mm

膜厚不均匀性：≤ ±5.0%

蒸发源：2-3 组金属源 /2-3 组有机源

控制方式：PLC + 触摸屏控制

占地面积：主机 L1710mm×W850mm×H1850mm

总功率：≥ 8kW

大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备

1. 设备一体化设计，占地面积小，性价比高，性能稳定，使用维护成本低；

2. 设备配备多组蒸发源，兼容有机蒸发与无机蒸发 , 多源共蒸获得复合膜。设计专业，功能强大，性能稳定；

3. 适用于实验室制备金属单质膜、半导体膜、有机膜，也可用于生产线前期工艺试验等。