共有321条产品，分17页，当前第1页 注：可任选两种产品点击“对比产品”按钮进行横向比较！
产品图片
展品信息+公司
关注度
产地
给我留言
|
眉山天乐半导体6英寸SiC晶体产品标准6-inchSiCIngotSpecification序号Item等级Grade精选级（Z级）ZeroMPDGrade工业级（P级）ProductionGrade
|
2 | 四川 | 给我留言 |
|
眉山天乐半导体6英寸SiC衬底片产品标准6-inchSiCSubstrateSpecification序号Item等级Grade精选级（Z级）ZeroMPDGrade工业级（P级）Production
|
1 | 四川 | 给我留言 |
|
立方SiC微粉产品纯度高、自然堆积密度高、粒度分布窄，基本粒含量在60～80%，用于精磨抛光、制造高级油石、精细研磨/抛光液，替代金刚石、B4C、AlN、CBN等。
|
10907 | 西安 | 给我留言 |
|
主要技术指标:
晶须直径：0.1～1.00µm;
晶须长度：10～100µm;
晶须长径比：>10;
晶须形貌：光滑直晶，含少量网状晶须;
晶须中SiC含量：>99.9%。
|
5986 | 西安 | 给我留言 |
|
由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源，经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅，其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使
|
6481 | 西安 | 给我留言 |
|
立方碳化硅（也称3C-SiC或β-SiC）性能优异，应用广泛，是各国高技术领域普遍关注的战略性高新技术材料，全球稀有，批量生产在国内尚属空白。西安博尔团队历经30年研发，拥有自主知识产权技术，利用工业
|
3550 | 西安 | 给我留言 |
|
产品系列产品名称产品型号性能参数起订量α相含量氧含量Fe/ppmAl/ppmCa/ppm粒度/μm2微米级高纯β-SiC粉体ZK-SCIG7≤4≤1.5%≤50≤25≤60≤750kg产品简介：一种低
|
1954 | 重庆 | 给我留言 |
|
基本信息高密度硅碳棒通常选用绿色高纯度六方碳化硅等更高纯度的原料，采用等静压成型、高温高压烧结等特殊工艺加工制成的棒状非金属高温电热元件，其内部结构致密，气孔率低，相比普通硅碳棒制作工艺更为精细。性能
|
1003 | 河南 | 给我留言 |
|
基本信息硅碳棒通常由发热部和冷端两部分组成，硅碳棒冷端是硅碳棒的重要组成部分。冷端位于硅碳棒的两端，与发热部相连。其作用是在硅碳棒工作时，将发热部产生的热量传导到外部电路，同时起到支撑和固定发热部的作
|
781 | 河南 | 给我留言 |
|
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。碳
|
1248 | 河南 | 给我留言 |
|
眉山天乐半导体4英寸SiC衬底片产品标准4-inchSiCSubstrateSpecification序号Item等级Grade精选级（Z级）ZeroMPDGrade工业级（P级）Production
|
6 | 四川 | 给我留言 |
|
特质：物理性质：密度3.21g/cm³，2700℃分解升华，热膨胀系数小、导热好，含杂质时具半导体特性，硬度高仅次于超硬材料，纯净无色，工业产品因纯度呈多种颜色。化学性质：800℃开始在空气中氧化，1
|
274 | 连云港 | 给我留言 |
|
78 | 广东 | 给我留言 |
|
产品介绍及用途：放置Si衬底，用于生长Si外延片产品所处设备位置：反应腔内，直接接触晶圆主要下游产品：集成电路主要终端市场：消费电子单片式-8吋托盘Si外延设备零部件单片式-8吋托盘Si外延设备零部件
|
80 | 广东 | 给我留言 |
|
117 | 江苏 | 给我留言 |
|
公司秉承环境友好，客户信赖，员工拥戴的公司宗旨，以待续创新为己任，以精益求精为理念，以行业发展为目标，努力为客户提供高性价比的产品，为客户赢得利益赢得市场。
|
102 | 江苏 | 给我留言 |
|
109 | 江苏 | 给我留言 |
|
中硅半导体（扬州）有限公司前生是扬州市中鼎光伏，成立于2009年，公司坐落于风景秀美的扬州市北郊天山镇工业区，依托中科院纳米所的雄厚技术储备与创新，引导我司从事半导体硅片的生产加工与技术革新，并培养了
|
96 | 江苏 | 给我留言 |
|
公司介绍自2008年成立以来，中硅半导体专注于生产各种半导体晶圆。我们的产品线涵盖单晶硅晶圆和复合半导体晶圆，使我们能够每月向全球客户供应多达10,000片6英寸硅晶圆。公司还提供定制的衬底材料加工服
|
136 | 江苏 | 给我留言 |
|
性能6英寸单片晶圆片降低衬底总成本35%;效率提升8倍FRT表面形貌测试BOW=1.4umAFM表面测试Ra=0.73um晶片表面可直接进行CMP
|
204 | 西安 | 给我留言 |