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一、设备简介该款设备是由单端封口红外滑轨炉、高真空机组、供气系统及操作控制界面组成,内控热电偶用于控制RTP炉内的温度,出气口通过连接手动挡板阀、波纹管用于对石英舱体内的真空获取,进气口除用于通入保护
 
1870 安徽合肥 给我留言
产品名称:红外气体传感器产品型号:Gasboard-2060红外气体传感器产品概述红外气体传感器是由四方仪器自主研发的高性能气体传感器,产品基于非分光红外技术(NDIR),能够精确测量半导体等应用中产
 
1529 湖北武汉 给我留言
产品名称:红外气体传感器产品型号:Gasboard-2061红外气体传感器产品概述红外气体传感器是由四方仪器自主研发的高性能气体传感器,产品基于非分光红外技术(NDIR),能够精确测量半导体等应用中产
 
883 湖北武汉 给我留言
Fastmicro晶圆表面颗粒物快速检测系统(PDS)Fastmicro晶圆表面颗粒物快速检测系统,专为各行业产品表面颗粒污染物直接测量而设计,主要应用于半导体领域的晶圆、薄膜及光罩检测,也可用于显示
 
442 荷兰 给我留言
Fastmicro仪器表面颗粒物分析仪(SAS)Fastmicro仪器表面颗粒物分析仪,是一款基于“胶带粘取”采样技术的表面污染检测工具,可通过间接测量方式识别小至0.5um的颗粒污染物。其配备的专用
 
316 荷兰 给我留言
全自动高刚性双轴减薄机是一款集成清洗干燥、精密测量、自动装夹与智能磨削于一体的自动化设备。主要用于对半导体、光学材料、陶瓷以及硬脆材料进行减薄加工。该设备结合了自动化技术和高刚性磨削系统,旨在提升生产
 
27 江苏 给我留言
产品优势:(1)独特的双轴支撑结构,降低了磨削单元间的振动和变形的相互干扰,有效提升设备的稳定性和加工质量的一致性(2)多参数传感器测量系统,实时采集传输并分析处理设备运转参数,增强设备故障预测性维护
 
28 江苏 给我留言
技术参数项目数据设备型号M827306K操作系统SXG-MPCVD控制系统微波频率2450MHz,输出功率:6KW反应腔承载功率≦10KW生长台Φ2英寸工作压力10-200Torr标准气路5路/6路(
 
78 上海 给我留言
技术参数项目数据设备型号M82750B6K操作系统SXG-MPCVD控制系统微波频率2450MHz,输出功率:6KW反应腔承载功率≦10KW生长台Φ2英寸工作压力10-200Torr标准气路5路/6路
 
97 上海 给我留言
系统参数具备自动调谐三销钉、工业视觉模块、等离子气体氛围模块等自动功能可实现无人值守运行具备自动调谐三销钉、工业视觉模块、等离子气体氛围模块等自动功能可实现无人值守运行具备自动调谐三销钉、工业视觉模块
 
71 北京 给我留言
系统参数具备自动调谐三销钉、工业视觉模块、等离子氛围模块等自动功能可实现无人值守运行
 
73 北京 给我留言
MPCVD中文名称叫微波等离子体化学气相沉积,是目前国内外制备单晶金刚石应用最广泛的方法。MPCVD因为能够制备大面积、高质量的金刚石,被认为是未来制备人造金刚石最理想的方法。主要特点:等离子体中电子
 
81 北京 给我留言
该设备主要用于材料科学、物理、化学等领域的实验研究。用于制备各种功能性薄膜和高性能材料。这些薄膜和材料在半导体、光电子、能源、生物医学等领域都有重要应用。该设备采用高纯石英元件,具有出色的高温稳定性,
 
151 天津 给我留言
设备名称:纳米超硬涂层设备设备型号:GDM1000真空腔室尺寸:Φ1000mm×H1200mm真空系统:国产/进口分子泵+罗茨泵+机械泵高真空系统极限真空:优于8.0×10-5Pa抽速:从大气到5.0
 
178 北京 给我留言
设备名称:纳米超硬涂层设备设备型号:GDM900真空腔室尺寸:Φ900mm×H930mm真空系统:国产/进口分子泵+罗茨泵+机械泵高真空系统极限真空:优于8.0×10-5Pa抽速:从大气到5.0×10
 
185 北京 给我留言
设备名称:粉体镀膜设备设备型号:JGCF1000镀膜方式:磁控溅射真空腔室结构:Φ600mmxL1000mm粉体/颗粒尺寸:≥20um物料装载:槽式震动式,连续进料产量:2000g加热烘烤:可选溅射源
 
195 北京 给我留言
设备名称:粉体镀膜设备设备型号:JGCF800镀膜方式:磁控溅射真空腔室结构:Φ800mmxL800mm粉体/颗粒尺寸:≥20um物料装载:滚筒震动式产量:500g加热烘烤:可选溅射源:矩形/圆柱靶占
 
216 北京 给我留言
设备名称:粉体镀膜设备设备型号:JGCF350镀膜方式:磁控溅射真空腔室结构:Φ350mmxH350mm粉体/颗粒尺寸:≥10um物料装载:托盘震动产量:3-10g加热烘烤:可选溅射源:2英寸圆形平面
 
176 北京 给我留言
设备型号:JCP500真空腔室结构:立式前开门结构后置抽气系统真空腔室尺寸:Φ500mm×H420mm加热温度:室温~500℃基片台尺寸:Φ150mm膜厚不均匀性:Φ100mm范围内≤±5.0%溅射靶
 
206 北京 给我留言
设备型号:TEMD600镀膜方式:E型电子枪真空腔室结构:立式圆柱形侧开门结构,后置抽气系统真空腔室尺寸:Φ600mm×H750mm加热温度:室温~300℃基片台尺寸:平板型Φ350mm,或球罩型基片
 
205 北京 给我留言
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