主要特点：
设备特点：
1、占地小、稳定性高、操作与维护方便
2、可广泛用于硅， 碳化硅， 氮化镓，砷化镓，玻璃等材料的涂胶显影工艺
3、可覆盖0.35um以上工艺需求，满足2~6寸晶圆需求，可涂覆3~20000CP光刻胶
4、控制精度高，实时控制解决方案，Ether CAT 通讯，高精度摆臂及传输机构
5、自主可控的技术方案，自主开发的软件系统，充分满足定制化要求
主要参数:
| 主要参数 | 片盒数量 | 2&3CS |
wafer 类型 | 圆片、方片 | |
| wafer 尺寸（mm） | 50-150 | |
| 产能（WPH） | 110 | |
| 衬底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
| 适用工艺 | g-line、i- line、PI |
设备特点：
1、占地小、稳定性高、操作与维护方便
2、可广泛用于硅， 碳化硅， 氮化镓，砷化镓，玻璃等材料的涂胶显影工艺
3、可覆盖0.35um以上工艺需求，满足2~6寸晶圆需求，可涂覆3~20000CP光刻胶
4、控制精度高，实时控制解决方案，Ether CAT 通讯，高精度摆臂及传输机构
