粉体行业在线展览
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6英寸导电型衬底
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北京天科合达半导体股份有限公司
北京
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天科合达
6英寸导电型衬底
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产品规格书
车规级（Z级）
研发型（D级）
| 直径 | 149.5 mm-150.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向<11-20>偏转4.0±0.5° | |
| 微管密度 | ≤0.2 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位边方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 47.5 mm±2.0 mm | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | —— | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累积面积 ≤ 0.05% | |
| 多型（强光灯观测） | —— | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累积面积 ≤ 0.05% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | —— | |
| 崩边（强光灯观测） | 不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位错 | ≤ 500 cm-2 | |
| 硅面污染物(强光灯观测) | —— | |
| 包装 | 多片卡塞 / 单片盒包装 | |
