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>立方SiC晶须
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西安博尔新材料有限责任公司
西安
面议
博尔
5175
10～100µm
光滑直晶，含少量网状晶须
主要技术指标:
晶须直径：0.1～1.00µm ;
晶须长度：10～100µm;
晶须长径比：>10;
晶须形貌：光滑直晶，含少量网状晶须;
晶须中SiC含量：>99.9%。
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100nm-120μm
WO
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GSC-50
β-SiC
NSC-01
β-SiC流体磨料
β/α- SiC研磨介质球
β-SiC+碳化硼复合流体磨料
微米级高纯β-SiC粉体
碳化硅
GC0.5
MG-C010
409-21-2
240#
JIS#12-#12000
W63-W1
B-SiC-50N
绿碳化硅
α阿尔法相碳化硅
