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碳化硅pvt培育的长晶

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品牌：

东尼电子

型号：

碳化硅pvt培育的长晶

关注度：

555

产品介绍

PVT法长晶

籽晶粘结成功率可以接近100%，平均生长速度0.13-0.16mm/h，晶体利用率更高，更加适合6～8寸晶体的生长，单位晶体成本更低。同时具有高可靠性，热场和工艺调节更便捷，更加适合规模化生产，这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。


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