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碳化硅MOS SBD晶圆
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杭州华创晶瑞科技有限公司
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华创晶瑞
碳化硅MOS SBD晶圆
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碳化硅二极管和碳化硅 MOSFET芯片目前已有产品650V、900V、1200V和1700V等各种规格及客需化定制。随着**代硅半导体及第二代砷化镓半导体材料发展的成熟，其器件应也趋于极限。现代科技越来越多的领域需要工作频率高，功率密度高，耐高温，化学稳定性好以及可以在强辐射环境中工作的材料，因此第三代半导体(即宽禁带半导体，禁带宽度大于2.2eV)受到了人们的极大关注，这些材料包括SiC，GaN,金刚石等。
4英寸导电型碳化硅衬底
6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
碳化硅晶锭晶棒
8英寸导电型碳化硅衬底
2英寸导电型碳化硅衬底
4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
4~8英寸碳化硅外延
氮化镓衬底 外延
4英寸3C N型碳化硅衬底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圆
2~6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
