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导电型4H-SiC衬底晶片
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深圳市重投天科半导体有限公司
深圳
面议
237
晶片尺寸：4~6英寸
晶片厚度：350 μm ± 15 μm
电阻率：0.015~0.024 Ω·cm
产品用途：产品主要于制造SiC电力电子
器件及SiC衬底上GaN光电子器件。
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WO
碳化硅
QZ-0017
4H型a相碳化硅粉
MG-C010
GC0.5
409-21-2
240#
JIS#12-#12000
碳化硅石墨托盘
