一、设备简介

碳基前驱体添加到流化床沉积炉内，通入高温气体，硅烷高温裂解，沉积在多孔碳的表面，得到包覆改性物料，相比传统CVD炉气固相接触充分，包覆硅时包覆层比传统工艺更均匀，反应区的温度控制均匀，温度精度一致性更好。

二、技术参数

1. 载气：N2、H2、Ar

2. 反应气体:CH4、C2H2、C3H6、SiH4等

3. 每批处理量： 10kg≤Q≤150kg

4. 操作温度： ≤800℃

5. 操作压力： ≤10Kpa

6. 卸料温度： ≤200℃

7. 氧指数： ≤50ppm