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单片式湿法清洗设备 Ultron S200/S300
面议
佳鼎半导体
单片式湿法清洗设备 Ultron S200/S300
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随着半导体芯片工艺技术的发展,工艺技术节点进入28纳米以及14nm等更先进等级,随着工艺流程的延长以及越趋复杂,每个晶片在整个制造过程中需要超过200道清洗步骤, 晶圆清洗变得更加复杂、重要以及富有挑战性; 清洗设备以及工艺也必须推陈出新,使用新的户物理及化学原理,在满足使用者的工艺需求条件下,也兼顾降低晶圆清洗成本和兼顾环境保护;
减少材料损伤(material loss);
孔洞的清洗能力;
防止晶片结构损伤(pattern damage);
金属、材料及微粒子的交叉污染 ;
晶圆可靠性改善;
去胶及去胶后清洗
炉管及长膜前清洗
氧化层/氮化硅蚀刻
铜/钛金属蚀刻
聚合物去除
擦片清洗
化学机械研磨后清洗
可以提供完整的湿法工艺解决方案,及前瞻的技术规划。
设备及工艺已经通过国际一线大厂的验证。
设备平台及腔体设计种类多,可滿足客戶不同條件。
多层式结构腔体设计,化学品回收率**可以达到95%以上。
自动清洗功能(腔体、排风口、 化学品喷嘴及手臂),可避免交叉污染及减少微粒子。
先进的自动工艺控制功能(片/批次),可以改善产品的均匀性。
可靠的视觉辨识功能,能立即侦测设备异常,预防产品异常。
IPA 干燥功能,可以减少微粒子及水痕。
ULTRON S2XX/S3XX
设备平台: ULTRON S-Series
晶圆尺寸: 200mm/300mm,
相关技术: 全自动旋转式湿法清洗适用制程: 晶体管, 连接体, 图形化, 先进内存, 封装
名 称 | 描 述 | |
型号 | Ø ULTRON S2XX | Ø ULTRON S3XX |
晶圆尺寸 | Ø 200mm | Ø 300mm |
上料端口 | Ø 4个 | Ø 4个 |
工厂自动化 | Ø OHT possible | Ø OHT possible |
腔体 | Ø 8个 | Ø 12个, 双层三排 |
化学品供应 | Ø 多腔体可用 | Ø 多腔体可用 |
产能 | Ø Max=295 | Ø Max=590 |
机械手臂 | Ø Index Robot : 1个 | Ø Index Robot : 1个 |
尺寸 | Ø 2520(W)x 4180(D) x3800(H) | Ø 2400(W)x 4720(D) x2555(H) |
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