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检测和分析碳化硅外延表面缺陷

检测和分析 Si℃ 外延中的表面缺陷和晶体缺陷

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面议

品牌：

中科汇珠

型号：

检测和分析 Si℃ 外延中的表面缺陷和晶体缺陷

关注度：

46

产品介绍

技术参数:

1)微分干涉镜头:532 nm波段光源

2)暗场镜头:457nm波段光源

3)PL镜头:313波段光源

4)PLX镜头:355波段光源

5)自动聚焦测量范围:+1.5mm

6)XYZ平台:移动范围550*400*5(XYZ)，重复定位精度0.1um，测量精度:±0.5um

7)重复性:CV<5%

8)致命缺陷测试准确性:>95%

获取更多信息，请访东莞市中科汇珠半导体有限公司网站

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