粉体行业在线展览
电子束蒸发设备—E-Beam-UHV
面议
致真精密
电子束蒸发设备—E-Beam-UHV
421
电子束蒸发设备可以在高真空和超高真空环境下实现精确的多层薄膜制备。线性电子束枪可以实现多种材料的蒸发。设备可选配考夫曼离子源实现晶圆的预清洗,可用于超导量子等领域,适用于高校及企业研发和小规模生产场合。
性能参数
晶圆尺寸 | 4inch~8inch |
极限真空 | 优于1×10-9mbar |
温控 | RT-800℃ |
电子束枪 | 超高真空线性运动电子束枪,可选配坩埚数量和容量(标配,10KW,6×15cc) |
晶圆清洗 | 可选配考夫曼离子源实现晶圆清洗 |
清洗均匀性 | 例:4inch晶圆优于±3% |
控制系统 | PC+PLC,全自动操作与安全互锁 |
样品台 | 180度倾斜,360度旋转,可选升降与偏压 |
膜厚测量 | 膜厚仪,可伸缩 |
占地面积 | 3m L*2m W*2m H |
可选 | 低温泵、自动传输、工艺菜单等 |
观察窗挡板
倾斜式高温样品台
蒸发源
圆形互联设备(外置机械臂、内置机械臂)
两个镀膜系统直接互联设备
超高真空管道传输设备
晶圆真空传输平台—VTM
量产型磁控溅射设备—MSI-200
生产型磁控溅射设备—MSI-100-UHV
生产型磁控溅射设备—MSI-100-HV
量产级多功能薄膜沉积设备
分子束外延设备—MBE-400