半导体芯片制造中，晶圆表面的纳米级平坦化，是决定芯片良率的关键一环。表面微划痕、局部起伏、亚表面损伤，都会直接影响后续光刻、薄膜沉积等工序，造成芯片性能衰减甚至整批报废。

针对硅芯片超精密 CMP 抛光需求，铭衍海微电子生产100nm氧化铝抛光液MYH-APS120，粒径小，专为硅芯片、硅晶圆超精密平坦化制程打造，兼顾抛光去除效率与低损伤加工，适配半导体产线量产需求。

一、铭衍海微电子产品简介

100nm氧化铝抛光液MYH—APS120，采用高纯度磨料，搭配专用高分子分散体系的水性抛光浆料，去划痕，硅芯片表面的超精密整平加工。

核心作用：高效去除前道工序残留的微观划痕、表面凸起与损伤层，把硅片表面修整至纳米级平整度，减少表面缺陷，保障芯片后续制程稳定开展，提升成品良率。

二、铭衍海微电子生产100nm氧化铝抛光液MYH-APS120核心特点

✅ 精准 100nm 窄分布粒径：严格管控磨料粒径，颗粒分布区间窄，严控大颗粒杂质，从源头降低硅片出现划伤的风险，抛光后表面粗糙度均匀可控，满足硅芯片超精抛的精度标准。

✅ 优异悬浮分散性能：特殊表面改性配方，浆料久置不易沉降、团聚、分层，上机后浓度稳定，长时间连续加工，抛光效果波动小，适配自动化 CMP 设备生产。

✅ 高效去除，低损伤抛光：纳米氧化铝磨料磨削效率优异，可快速消除硅片表面微观缺陷；颗粒经过球形改性处理，研磨应力柔和，在保障去除速率的同时，降低亚表层晶格损伤风险，兼顾效率与工件保护。

✅ 半导体级洁净配方：低重金属杂质，配方温和，抛光后工件易清洗，降低后段清洗工序压力，适配洁净车间作业，支持循环过滤使用，帮助工厂控制量产耗材成本。

三、主要应用场景

· 硅芯片、硅晶圆超精密 CMP 平坦化抛光

· 半导体衬底精抛、后道精细整平工序

· 适配全自动抛光设备，可用于大批量量产，也可满足小批量精密试样加工

铭衍海微电子，深耕精密研磨抛光耗材研发生产。除半导体 CMP 抛光液之外，同时布局光通信研磨液、拉纤液全系列产品，可为不同行业客户提供工艺适配、试样打样服务，欢迎联系铭衍海微电子！