吸入药物应用专题|探究药物含量对干粉吸入剂（ DPI ）粉末性质的影响及肺部药物沉积的潜在预测介绍整体框架本篇文章的整体框架如下所示：一、背景二、实验设计三、结果与讨论四、总结吸入颗粒制备整体解决方案参考文献[1] Sun Y ,Qin L ,Liu C , et al. Exploring the influence of drug content on DPI powder propertie

国仪量子电镜在芯片金属迁移树突生长监测的应用报告一、背景介绍在现代芯片制造领域，随着芯片集成度不断提高、尺寸持续缩小，金属迁移引发的问题愈发凸显。芯片中的金属导线在电流、温度等因素作用下，金属原子会发生迁移，进而形成树突结构。金属迁移树突生长一旦接触到相邻导线，就会造成短路，严重影响芯片的可靠性和使用寿命，导致电子产品出现故障。准确监测芯片金属迁移树突的生长过程，对深入理解金属迁移机制、优化芯片设

国仪量子电镜在蓝宝石图形化衬底（PSS）形貌分析的应用报告一、背景介绍在发光二极管（LED）制造领域，蓝宝石图形化衬底（PSS）技术是提升 LED 光提取效率的关键手段。通过在蓝宝石衬底上制备特定的微观图形结构，能够有效减少光线在衬底内部的全反射，增加光线出射，从而提高 LED 的发光效率。PSS 的形貌，包括图形的形状、尺寸、深度以及表面粗糙度等，对 LED 的光学性能有着直接且重要的影响。例如

国仪量子电镜在量子点发光层厚度均匀性测量的应用报告一、背景介绍在现代显示技术以及光电器件领域，量子点发光材料凭借其卓越的光学特性，如窄且对称的发射光谱、高量子产率以及可通过尺寸精确调控发光波长等，成为实现高分辨率、高色彩饱和度显示以及高性能光电器件的核心要素。在量子点发光二极管（QLED）显示器中，量子点发光层作为关键的发光组件，决定了显示器的色彩表现、亮度均匀性和发光效率。量子点发光层的厚度均匀

国仪量子电镜在纳米压印模板残留胶检测的应用报告一、背景介绍在半导体制造、微纳光学以及生物医学微器件制备等前沿领域，纳米压印技术凭借其能够低成本、高分辨率地复制微纳结构的独特优势，成为实现高精度图案化的关键工艺。通过将具有特定微纳图案的模板压印到涂覆有光刻胶或聚合物材料的基底上，经固化后可精准转移图案，为制造超精细集成电路、微纳光学元件以及生物芯片等提供了高效途径。然而，在纳米压印过程中，模板与基底

国仪量子电镜在柔性显示基板 PI 膜皱褶分析的应用报告一、背景介绍柔性显示技术作为当前显示领域的前沿方向，具有轻薄、可弯曲、便携等优势，在可折叠手机、智能穿戴设备等领域展现出巨大的应用潜力。聚酰亚胺（PI）膜因其优异的机械性能、热稳定性和化学稳定性，成为柔性显示基板的关键材料。然而，在 PI 膜的制备、加工以及后续的显示器件组装过程中，常常会出现皱褶现象。这些皱褶不仅影响柔性显示基板的外观平整度，

国仪量子电镜在砷化镓微波器件界面位错分析的应用报告一、背景介绍在现代通信技术快速发展的浪潮中，砷化镓（GaAs）微波器件凭借其卓越的高频性能、高电子迁移率以及良好的抗辐射能力，成为实现高速、高效信号传输的核心元件。在 5G 乃至未来 6G 通信基站的射频前端，GaAs 微波器件用于信号的发射与接收，保障通信的稳定与高效；在卫星通信系统中，其出色的性能确保了在复杂空间环境下的可靠信号处理。然而，在

国仪量子电镜在铜互连电迁移空洞定位的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，随着芯片集成度的不断提升，芯片内部的互连结构对于确保高效、稳定的信号传输至关重要。铜互连因其低电阻、高电导率以及良好的抗电迁移性能，成为现代超大规模集成电路中互连材料的首选。在复杂的芯片电路中，铜互连负责连接各个晶体管和功能模块，保障电流顺畅流动，实现芯片的各种功能。然而，在芯片长时间工作过程中，由于高电流密度的持续作用

国仪量子电镜在相变存储器 GST 材料晶化率评估的应用报告一、背景介绍相变存储器作为新一代存储技术，凭借其高速读写、低功耗和高可靠性等优势，在数据存储领域备受关注。GST（锗锑碲）材料是相变存储器的核心存储介质，其晶化率对相变存储器的性能起着决定性作用。晶化率不同，GST 材料的电阻值会发生显著变化，从而实现存储数据的 “0” 和 “1” 状态切换。精确评估 GST 材料的晶化率，对于优化相变存储

国仪量子电镜在芯片钝化层开裂失效分析的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，芯片钝化层扮演着至关重要的角色。它作为芯片的 “防护铠甲”，覆盖在芯片表面，隔绝外界环境中的湿气、杂质以及机械应力等不利因素，保障芯片内部精密电路的稳定运行。在消费电子设备，如智能手机和笔记本电脑中，芯片需长时间稳定工作，钝化层有效防止水汽侵蚀，避免芯片短路、腐蚀等问题，确保设备的可靠性与使用寿命。然而，在芯片的制造、

国仪量子电镜在芯片后道 Al 互连电迁移空洞检测的应用报告一、背景介绍随着芯片集成度不断攀升，芯片后道 Al 互连技术成为确保信号传输与芯片功能实现的关键环节。在芯片工作时，Al 互连导线中的电子持续流动，会对金属原子产生作用力，引发电迁移现象。电迁移可能致使 Al 原子移动并聚集，进而在互连导线中形成空洞。这些空洞一旦出现，会增大导线电阻，阻碍电流传输，严重时甚至导致电路断路，使芯片失效。据统计

国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告一、背景介绍在芯片制造工艺中，金属栅极刻蚀是构建晶体管关键结构的重要环节。精确的刻蚀工艺能够确保金属栅极的尺寸精度和形状完整性，对芯片的性能和可靠性起着决定性作用。然而，刻蚀过程中不可避免地会产生刻蚀残留，这些残留物质可能是未完全刻蚀掉的金属材料、刻蚀副产物或光刻胶残留。金属栅极刻蚀残留会严重影响芯片的电学性能，导致漏电、信号传输延迟等问题，降低芯片

国仪量子电镜在 FinFET 鳍片 CD 临界尺寸测量的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，随着摩尔定律的不断演进，芯片制程工艺持续向更小的特征尺寸发展。FinFET（鳍式场效应晶体管）技术作为一种突破性的晶体管架构，已成为实现芯片高性能、低功耗的关键技术之一。FinFET 通过在硅衬底上生长出垂直的鳍片结构，显著增加了沟道表面积，有效提升了晶体管的开关速度和电流驱动能力，降低了漏电功耗。鳍

国仪量子电镜在 GaN HEMT 器件栅极凹槽形貌分析的应用报告一、背景介绍在现代功率电子与微波射频领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件凭借其高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻等优异特性，成为提升系统效率、实现小型化与高性能化的关键组件。在 5G 基站的射频功率放大器中，GaN HEMT 器件能够高效处理高频信号，提高信号传输质量；在新能源汽车的车载充电器和逆变器里，可大幅提升

国仪量子电镜在 MEMS 加速度计悬臂梁应力观测的应用报告一、背景介绍在现代传感技术领域，微机电系统（MEMS）加速度计凭借其体积小、重量轻、功耗低以及高灵敏度等优势，在汽车安全系统、智能手机、航空航天等诸多领域得到广泛应用。在汽车的安全气囊触发系统中，MEMS 加速度计能够快速精准地检测车辆的加速度变化，及时触发安全气囊，保障驾乘人员安全；在智能手机里，它助力实现屏幕自动旋转、运动追踪等功能。M

国仪量子电镜在半导体纳米线直径均匀性统计的应用报告一、背景介绍半导体纳米线作为纳米电子学和纳米光子学领域的关键材料，因其独特的量子尺寸效应和优异的电学、光学性能，在高性能晶体管、传感器、发光二极管等众多器件中展现出巨大的应用潜力。半导体纳米线的直径均匀性对其性能起着至关重要的作用，微小的直径变化会显著影响纳米线的电学、光学和力学特性。例如，在纳米线晶体管中，直径的不均匀会导致载流子迁移率不一致，进

国仪量子电镜在晶圆级封装微凸点共晶融合观测的应用报告一、背景介绍在半导体产业持续向小型化、高性能化迈进的进程中，晶圆级封装（WLP）技术凭借其能有效缩小芯片尺寸、降低成本以及提升电气性能等显著优势，成为先进封装领域的关键技术。WLP 直接在晶圆上进行封装操作，相较于传统封装方式，减少了封装层级，缩短了信号传输路径，极大提升了芯片的电学性能。在智能手机、可穿戴设备等对空间和性能要求极高的电子产品中，

国仪量子电镜在晶圆键合界面微空隙统计的应用报告一、背景介绍在半导体制造领域，晶圆键合技术作为实现芯片集成与封装的关键工艺，广泛应用于 3D 芯片堆叠、系统级封装等先进制程。通过将两片或多片晶圆在原子层面上结合，晶圆键合能够实现芯片间的电气连接、机械支撑以及信号传输，极大提升芯片的性能与集成度。然而，在晶圆键合过程中，键合界面常出现微空隙现象。这些微空隙是指键合界面处未完全结合的微小空洞，其产生原因

国仪量子电镜在抗辐射器件栅氧经时击穿分析的应用报告一、背景介绍在航天、军事等高辐射环境下，电子设备需具备强大的抗辐射能力。抗辐射器件中的栅氧层是保障器件正常运行的关键结构，然而，长期处于辐射环境中，栅氧层会逐渐积累辐射损伤，最终导致经时击穿，使器件失效。准确分析栅氧经时击穿的过程和机制，对提升抗辐射器件的可靠性、延长其使用寿命意义重大。传统分析方法难以在微观层面清晰呈现栅氧击穿的细节，限制了对相关

国仪量子电镜在磁存储器 MTJ 隧道结界面分析的应用报告一、背景介绍在信息存储技术飞速发展的当下，磁存储器凭借其高存储密度、低功耗和快速读写的优势，成为存储领域的关键力量。磁性隧道结（MTJ）作为磁存储器的核心部件，其隧道结界面的质量对磁存储器的性能起着决定性作用。MTJ 隧道结界面的原子排列、粗糙度以及元素扩散情况等，都会影响电子的隧穿效率，进而影响磁存储器的读写速度、存储密度和稳定性。因此，深