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品牌展台: PVA TePla中国
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雷射量测系统

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PVA TePla中国

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品牌:

PVA TePla

型号:

雷射量测系统

关注度:

41

产品介绍

借助残余应力的状态分布“指纹”,可以去分析部件或材料的组成及使用情况。残余应力分析是必不可少的,例如可以用来识别半导体衬底和组件结构上的局部应力状态和缺陷,或根据应力状态和缺陷分布的信息优化生产工艺。得益于独有的镭射技术,PVA TePla的SIRD(去极化红外线扫描)系统可以在无需接触或者破坏被分析的材料或部件的情况下实现有效分析。

智能软件解决方案使得 SIRD 系统有效地将获得的去极化图转换为可解释的剪切应力分布结果。

该系统凭借出色的镭射技术,搭配智能的软件,自推出市场,备受用户青睐并得到广泛的应用。

SIRD 应力量测

SIRD(去极化红外线扫描)系统是一种透射式暗场平面偏光镜。当检测时,固定位置的线性偏振光束穿透待检查的晶圆。如果晶体结构**且无应力,光束的偏振不会改变。 但如果晶体中存在剪切应力或缺陷,光束则会因为应力引起的双折射效应造成去极化的现象。

功能概述:

  • SIRD的工作方式类似于唱片机:晶圆在转台上旋转,并在半径方向间歇或是连续性(螺旋)地移动

  • 根据预先设定的测量参数记录数据;*小或**半径均可自由选择

  • 测量时间取决于选择的横向分辨率(≥50 µm) 以及扫描速度(**约1 cm² s⁻¹)

  • 以图的方式来呈现*重要量测结果(去极化及透视度)

SIRD的工作原理与ARD (Alternating Retarder Depolarization)原理一致。这允许区分不是由双折射影起的去偏振分量。因此,即使是*小的应力差异也是有可能量测的(>100 Pa)。

SIRD 应用实例:

Czochralski 的硅中的漩涡缺陷

硅上氮化镓层的滑动线

硅外延制程后的近边缘缺陷

由制程引起的局部缺陷(设备指纹)


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