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微纳（香港）科技有限公司
美国
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? 产品简介SWC-4000型CMP后清洗机是美国NANO MASTER公司开发的一款科研级的高端清洗系统，用于去除晶圆在CMP工艺后晶圆表面污染物、残留物、或微尘颗粒等。该系统集成了美国NANO MASTER公司无损DI水兆声清洗**技术，配合四路的化学试剂清洗，PVA刷洗以及带异丙醇的高速甩干等清洗模块，对于单片清洗而言具有**的基底清洗能力，是科研CMP后清洗机的**仪器。
? 技术特色
•兼容4，6，8，12寸片晶圆，同时可用于**7”X 7”掩膜版清洗。
•干进干出或湿进干出。
•集成了**的无损兆声清洗技术，同时支持去离子水冲洗、化学试剂清洗、PVA刷子刷洗、红外灯烘干/氮气吹扫甩干清洗模块。
•配置4路化学容器罐，可支持4路化学清洗液进行清洗。
•两种干燥模式：高速甩干与红外烘干，可同时使用。
•用户可编程的清洗干燥工序，比如：
Cycle I：化学试剂清洗
Cycle II：去离子水冲洗
Cycle III：刷子刷洗
Cycle IV：兆声去离子水清洗
Cycle V：旋转甩干，氮气吹扫及红外灯烘干
每一套程序可以支持 20 个操作步骤。
•可以存储多达 25 套产品程序。
•结构紧凑，集成度高：把所有的清洗需要集成到一个紧凑的立柜中 ，旋转清洗单元、兆声脉冲射流清洗器、试剂容器以及所有的阀及传感器 都全部包含到该系统。
•带触摸屏的PLC控制。
? 主要技术参数
Wafer尺寸 | 4，6，8，12寸片晶圆，可用于**7”X 7”掩膜版清洗 |
清洗模块 | 去离子水冲洗、PVA刷子刷洗、化学试剂清洗、兆声清洗 |
去离子水 | 1.5L/min，30PSI |
PVA刷 | 刷子旋转转速：**400RPM |
化学试剂清洗 | 4个4升容器罐用于装稀释的化学清洗液，通过N2施压控制流量与容器罐装卸。 |
兆声清洗 | 频率：1MHz功率：60W |
干燥方式 | 旋转甩干、氮气吹扫、红外灯烘干 |
存储recipe | *多25个，每1个recipe可以支持 20 个清洗步骤，而在每一个步骤中可以设定以下参数： RPM 转速 （维持的转速 、 RAMP加速梯度（多快时间达到那个速度） 、 Dwell 运行时间 （维持想要的速度的时间有多长）。 |
旋转台 | 转速：0-2000RPM 加速度/减速度：<1-25.5秒（以0.1秒为增量） |
每步骤旋转维持时间 | **到550秒（以0.1秒为增量） |
每步骤(维持旋转)的试剂分布时间 | 1-540秒（以1秒为增量） |
每步骤(变速阶段)的试剂分布时间 | 1-25秒（以1秒为增量） |
化学试剂分配速率 | @15 PSI of N2， 83ccm (based on D.I.H2O) @20PSI of N2， 133ccm (based on D.I.H2O) |
控制器 | PLC控制系统，LCD触控屏控制 |
仪器尺寸 | 28”*32”*54” |
?应用
• Post CMP Wafer Cleaning
• Patterned and Un-patterned Masks and Wafers
•Ge， GaAs and InP Wafer Cleaning
•Cleaning of Diced Chips on Wafer Frame
•Cleaning after Plasma Etch or Photoresist
•Stripping
•Mask Blanks or Contact Mask Cleaning
•Cleaning of X-ray and EUV Masks
•Optical Lens Cleaning
•Cleaning of ITO Coated Display Panels
•Megasonic Assisted Lift-off Process
