MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，主要被设计用于生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数。其工作状态为稳态或短脉冲激励下（μ-PCD）。
MDPmap自动化的样品识别和参数设置可以使该仪器方便地适应各种不同的样品，包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。
MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成多达4个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。
设备特点▼
>>灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的较高分辨率
>>测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟
>>寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒
>>沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染
>>测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品
>>灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合
>>可靠性：模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间> 99%
>>重现性： > 99.5%
>>电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
设备参数▼
样品尺寸 | 5mm—300mm（300mm为标配，可根据需求提升至450mm） |
寿命范围 | 20ns到几毫秒 |
电阻率 | 0.2 - 103 Ohm cm |
电导类型 | p/n |
材质 | 硅晶圆，外延层，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等 |
测量属性 | 少数载流子寿命、光电导性 |
激励源 | 可选四种不同波长（355nm—1480nm），默认值为980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm， 重量: 65 kg |
电源 | 100-250V，50/60 Hz， 5A |
