粉体行业在线展览
101718-101723
1万元以下
MKNANO
101718-101723
876
1cm2-100cm2
单晶尺寸:200um
衬底:铜衬底
高校科研院所
高校科研院所
背景介绍:
目前制备高质量石墨烯的方法,有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法(CVD),前两种方法效率低,不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯,一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。 石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用,但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。 牧科纳米技术团队经过长时间的技术攻关,不用昂贵的金属基体,在常见的铜衬底,以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法,成功制备出了100微米到几个毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。而且可以转移到任意衬底上,方便取用。 该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量,将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管,测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100cm2 V-1s-1。 常见的铜基体上生长大尺寸单晶石墨烯及其薄膜技术的突破,为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。 石墨烯单晶表征数据: 200um级别石墨烯单晶在铜衬底上的光学显微镜照片:
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