设备特点

●温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制。

●装载采用SiC悬臂桨，避免了与工艺管磨擦产生粉尘。

●反应气体分子送气和族射送气，避免气相反应产生粉尘和改善均匀性。

●工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和重复性。

技术指标

●基片尺寸：4,6,8英寸圆片

●工作温度：500～900℃

●工艺管路：1～3管

●恒温区长度：400mm~800mm

●控温精度：±0.5℃

●极限真空度：<1Pa

●膜厚均匀性：Si3N4：±3%； Poly-Si：±4%； TEOS-SiO2：±3%

应用范围

　　用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备